[发明专利]导电叠层结构及其制造方法、显示装置

说明书

本发明提出了一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置，通过在基材上制备出诱导配向结构，以利用所述诱导配向结构引导纳米银线的形成方向，使得纳米银线在预设的方向上交叉搭接，并构成纳米银线薄膜。本方法能够在保证纳米银线薄膜低雾度的前提下，提高纳米银线薄膜的导电性，使得制备出的导电叠层结构具有更优的触控性能以及更佳的应用前景。

技术领域

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置。

背景技术

纳米银线(SNW，sliver nanowire)是直径在纳米(1×10^-9m)量级的金属银材料的一维结构，由于纳米银线具有良好的导电率、化学性能、抗菌性能和较小的线宽等优点，并且制备成本低，目前已实现了在多个领域的应用。尤其在触控领域中，由于制备出的纳米银线薄膜具有非常高的导电性和透明度，且弯曲性能优异，近年来纳米银线已逐渐成为了替代ITO的热门材料，并且极可能成为未来柔性触屏领域的主要材料。

纳米银线薄膜实际上是由众多纳米银线拼接随机分布，并借由分子间作用力搭接在一起实现导电，导电率是纳米银线薄膜应用于导电叠层结构时的一项关键参数。而导电率又与纳米银线的搭接状况有着直接关联，目前的工艺中常通过提高纳米银线的浓度以提高搭接概率，但是过高的纳米银线浓度又会引发雾度问题，导致制造出的纳米银线薄膜及导电叠层结构的透明度下降。因此，现有的工艺下产出纳米银线薄膜在导电性和雾度上存在限制，制约了采用纳米银线薄膜制造出的导电叠层结构的导电性能、触控性能以及应用前景，故需要一种能够有效改善上述问题的结构与方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电叠层结构及其制造方法、显示装置，以解决现有的纳米银线薄膜无法同时满足低雾度和高导电率要求而导致导电叠层结构性能及应用前景受限的问题。

本发明提出的一种导电叠层结构，包括：

一基材；

诱导配向结构，形成在所述基材上；

纳米银线薄膜，形成在所述基材上并覆盖所述诱导配向结构；

其中，所述纳米银线薄膜包括经由所述诱导配向结构引导在预设的方向上交叉搭接的多条纳米银线。

优选地，所述诱导配向结构包括沟槽，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉。

优选地，所述沟槽的宽度为纳米银线的宽度的1倍至100倍范围。

优选地，所述诱导配向结构包括多个呈阵列式排布的点结构，所述点结构的材料为对银的亲和性优于所述基材对银的亲和性。

优选地，呈阵列式排布的所述点结构中相邻的点结构之间的最小间距小于等于所述纳米银线薄膜中纳米银线长度的均值或纳米银线长度的中位数。

优选地，所述多条纳米银线粘附在一个或多个点结构上，并以所述点结构作为锚定点，多条所述纳米银线在所述锚定点上相互搭接。

以及，本发明还相应地提供了一种导电叠层结构的制造方法，包括：

提供一基材；

在所述基材上形成诱导配向结构；

在所述基材上形成一纳米银线薄膜，所述纳米银线薄膜中的纳米银线经由所述诱导配向结构引导，以在预设的方向上交叉搭接。

优选地，所述诱导配向结构包括沟槽，所述沟槽至少包括多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉，以及，所述沟槽的形成方法包括：

采用毛刷或滚轮在所述基材上沿着所述第一方向进行摩擦，以在所述基材上形成所述第一沟槽；