[发明专利]一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端

权利要求书

1.一种浪涌保护器件，其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘，所述输入焊盘连接电源电压，所述输出焊盘连接地线，所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组，所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接；其中，

分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构，以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀；

当各所述NMOS晶体管组分别采用相同宽度、材料及厚度的金属走线连接所述输入焊盘与所述输出焊盘时，沿着所述电源电压走线方向依次增加各所述NMOS晶体管组到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线的层数，使得各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的等效金属走线电阻依次减小。

2.一种浪涌保护器件，其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘，所述输入焊盘连接电源电压，所述输出焊盘连接地线，所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组，所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接；其中，

分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构，以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀；

当各所述NMOS晶体管组分别采用相同层数、厚度及材料的金属走线连接所述输入焊盘与所述输出焊盘时，沿着所述电源电压走线方向依次增加各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线的宽度，使得各所述NMOS晶体管组到所述输入焊盘和所述输出焊盘的等效金属走线电阻依次减小。

3.一种浪涌保护器件，其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘，所述输入焊盘连接电源电压，所述输出焊盘连接地线，所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组，所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接；其中，

分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构，以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀；

当各所述NMOS晶体管组分别采用相同宽度、材料及层数的金属走线连接所述输入焊盘与所述输出焊盘时，沿着所述电源电压走线方向依次增加各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线的厚度，使得各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的等效金属走线电阻依次减小。

4.一种浪涌保护器件，其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘，所述输入焊盘连接电源电压，所述输出焊盘连接地线，所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组，所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接；其中，

分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构，以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀；

当各所述NMOS晶体管组分别采用相同宽度、厚度及层数的金属走线连接所述输入焊盘与所述输出焊盘时，沿着所述电源电压走线方向依次减小各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线所采用材料的电阻率，使得各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的等效金属走线电阻依次减小。