[发明专利]氮化钨阻挡层沉积

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供形成在衬底上的介电层和硅锗(SiGe)层中的特征，其中所述特征包括SiGe表面；

将所述SiGe表面暴露于氮自由基以处理所述SiGe表面；

在经处理的所述SiGe表面上沉积钨(W)层；以及

沉积与所述特征共形的氮化钨(WN)层。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括用钨(W)填充所述特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其中氮自由基在由氮(N₂)气产生的电感耦合等离子体中产生。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述SiGe表面上形成氮化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在经处理的所述SiGe表面上沉积所述W层包括将所述衬底暴露于六氟化钨(WF₆)和还原剂的交替脉冲。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述还原剂是硅烷(SiH₄)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中经处理的所述SiGe表面防止氟从所述WF₆扩散到处于经处理的所述SiGe表面下方的SiGe中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述W层的厚度在5埃和30埃之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积WN层包括将所述特征暴露于六氟化钨(WF₆)、还原剂和氮化剂的交替脉冲。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述还原剂是乙硼烷(B₂H₆)并且所述氮化剂是氨(NH₃)。