[发明专利]一种转移石墨烯的方法在审
申请号: | 201810714966.X | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN108793146A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张苗;高敏;韩晓雯;薛忠营;狄增峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | C01B32/194 | 分类号: | C01B32/194 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 派瑞林 衬底 衬底结构 腐蚀液 去除 结构翻转 转移介质 支撑层 翻转 涂敷 无损 洁净 生长 | ||
1.一种转移石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一衬底;
S2:在所述衬底上生长石墨烯,形成石墨烯/衬底结构;
S3:在所述石墨烯上涂敷派瑞林,形成派瑞林/石墨烯/衬底结构;
S4:利用腐蚀液去除所述派瑞林/石墨烯/衬底结构中的所述衬底,形成派瑞林/石墨烯结构;
S5:将所述派瑞林/石墨烯结构翻转,形成石墨烯/派瑞林结构,完成所述石墨烯的转移。
2.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述派瑞林的厚度范围为100nm~10000nm。
3.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述派瑞林作为所述石墨烯的转移介质及支撑层。
4.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述衬底包括锗、铜、镍、铂、钼、铅、铁、钴、钌、硅、氧化硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃、陶瓷及聚合物中的一种或两种以上。
5.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述石墨烯包括单层石墨烯及多层石墨烯中的一种。
6.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:步骤S2中,在所述衬底上生长所述石墨烯的方法包括分子束外延法及化学气相沉积法中的一种。
7.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:步骤S3中,涂敷所述派瑞林的方法包括通过机械旋涂方式覆盖在所述石墨烯的上表面。
8.根据权利要求1的转移石墨烯的方法,其特征在于:步骤S4中,所述腐蚀液与所述衬底相对应,包括:三氯化铁溶液、过硫酸铵溶液、由盐酸与硫酸铜混合形成的混合溶液及氢氟酸溶液中的一种。
9.根据权利要求1的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述石墨烯/派瑞林结构的应用包括柔性电子。
10.根据权利要求1所述的转移石墨烯的方法,其特征在于:所述石墨烯/派瑞林结构为晶圆级别。
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