[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：

在衬底基板(10)上形成栅极(21)和多条扫描线(11)；

在该栅极(21)上依次形成栅极绝缘层(101)和金属氧化物层(102)；

在该金属氧化物层(102)上涂布光阻(102′)，并对信号线区域(202)上的光阻(102′)进行半曝光，使得在显影后留下的光阻(102′)中，信号线区域(202)上的光阻厚度(T2)小于半导体层区域(201)上的光阻厚度(T1)；

蚀刻去除掉半导体层区域(201)和信号线区域(202)之外的金属氧化物层(102)以形成位于半导体层区域(201)的金属氧化物半导体层(22)，去除信号线区域(202)上的光阻(102′)，将信号线区域(202)的金属氧化物层(102)进行离子注入由半导体转化为导体形成位于信号线区域(202)的信号线(25)；

去除半导体层区域(201)上的光阻(102′)；

在该金属氧化物半导体层(22)和信号线(25)上形成蚀刻阻挡层(103)，蚀刻阻挡层(103)覆盖金属氧化物半导体层(22)和部分信号线(25)使得信号线(25)包括覆盖区域(251)和未覆盖区域(252)；

同一个光罩制程形成的源极(23)、漏极(24)、导电条(26)和多条数据线(12)，多条该扫描线(11)与多条该数据线(12)绝缘交叉限定形成呈阵列排布的多个像素单元；源极(23)和漏极(24)形成在位于金属氧化物半导体层(22)上方的蚀刻阻挡层(103)上，源极(23)和漏极(24)相互间隔并分别与位于金属氧化物半导体层(22)上方的蚀刻阻挡层(103)接触连接，导电条(26)形成在信号线(25)的未覆盖区域(252)上与信号线(25)接触连接，该导电条(26)设置在该像素单元内且靠近上侧的扫描线(11)，该导电条(26)的长度延伸方向与该扫描线(11)的延伸方向一致；以及

形成绝缘平坦层(30)并在绝缘平坦层(30)上方形成相互绝缘的公共电极(13)和像素电极(14)，公共电极(13)与导电条(26)电连接，像素电极(14)与漏极(24)电连接。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，绝缘平坦层(30)包括绝缘层(104)和平坦层(105)，该制作方法包括：在源极(23)、漏极(24)和导电条(26)上形成绝缘层(104)，在该绝缘层(104)上形成绝缘层第一通孔(104a)以将导电条(26)显露出来，在绝缘层(104)上形成平坦层(105)，在该平坦层(105)上形成平坦层第一通孔(105a)和平坦层第二通孔(105b)，平坦层第一通孔(105a)形成在绝缘层第一通孔(104a)上与该绝缘层第一通孔(104a)贯通形成绝缘平坦层(30)的第一接触孔(31)以将部分导电条(26)显露出来，在平坦层(105)上形成第公共电极(13)并填入第一接触孔(31)内与导电条(26)接触连接；在公共电极(13)上形成绝缘保护层(106)，形成的绝缘保护层(106)填入平坦层第二通孔(105b)内与绝缘层(104)接触并层叠设置，在平坦层第二通孔(105b)内层叠设置的绝缘层(104)和绝缘保护层(106)上形成第二接触孔(32)；在绝缘保护层(106)上形成像素电极(14)并填入第二接触孔(32)内与漏极(24)接触连接。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该绝缘平坦层(30)包括平坦层(105)，该制作方法包括：在源极(23)、漏极(24)和导电条(26)上形成平坦层(105)，在该平坦层(105)上形成平坦层第一通孔(105a)和平坦层第二通孔(105b)，平坦层第一通孔(105a)为第一接触孔(31)用于将导电条(26)显露出来，在平坦层(105)上形成公共电极(13)并填入第一接触孔(31)内与导电条(26)接触连接；在公共电极(13)上形成绝缘保护层(106)并填入平坦层(105)的平坦层第二通孔(105b)内，在平坦层第二通孔(105b)内的绝缘保护层(106)上形成第二接触孔(32)；在绝缘保护层(106)上形成像素电极(14)并填入第二接触孔(32)内与漏极(24)接触连接。