[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和信号线，信号线与金属氧化物半导体层通过同一个光罩制程形成在栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层和部分信号线使得信号线包括覆盖区域和未覆盖区域；导电条与源极和漏极通过同一个光罩制程形成且导电条形成在信号线的未覆盖区域上；绝缘平坦层形成在蚀刻阻挡层上；公共电极和像素电极，相互绝缘地形成在绝缘平坦层上方，公共电极与导电条电连接，像素电极与漏极电连接。金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法可提高像素开关的基本性能。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，且特别是涉及一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)作为平板显示的核心组成部分，任何有源矩阵的平板显示都依赖于薄膜晶体管的控制和驱动。目前应用于显示器的开关元件仍为非晶硅(a-Si)薄膜晶体管和多晶硅(p-Si)薄膜晶体管，其中非晶硅薄膜晶体管应用最为广泛，但非晶硅薄膜晶体管具有电子迁移率低(只有0.3～1cm²/V·s)、光照稳定性差等问题。而多晶硅薄膜晶体管虽然在电子迁移率低方面高出非晶硅薄膜晶体管很多，但具有构造复杂、漏电流大、膜质均一性差等问题。随着显示技术的快速发展，对薄膜晶体管的性能提出了越来越高的要求，非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管已不能完全满足这些要求。

近年来，氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide Semiconductor Thin FilmTransistor，AOS TFT)因具有良好的电学特性和光学特性，在学术界、工业界受到了广泛关注。尤其是非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(Amorphous In Ga Zn O Thin FilmTransistor，a-IGZO TFT)，以其电子迁移率高(10cm²/V·s)、功耗低、工艺简单、响应速度快、大面积均匀性好、可见光范围内透过率高等优点被认为是有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)和有源矩阵液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display，AMLCD)驱动电路的核心部件，也被认为是随着显示器向大尺寸、柔性化、轻便方向发展的最具有竞争力的背板驱动技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，可提高像素开关的基本性能。

本发明实施例提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅极；

在该栅极上依次形成栅极绝缘层和金属氧化物层；

在该金属氧化物层上涂布光阻，并对信号线区域上的光阻进行半曝光，使得在显影后留下的光阻中，信号线区域上的光阻厚度小于半导体层区域上的光阻厚度；

蚀刻去除掉半导体层区域和信号线区域之外的金属氧化物层以形成位于半导体层区域的金属氧化物半导体层，去除信号线区域上的光阻，将信号线区域的金属氧化物层进行离子注入由半导体转化为导体形成位于信号线区域的信号线；

去除半导体层区域上的光阻；

在该金属氧化物半导体层和信号线上形成蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层和部分信号线使得信号线包括覆盖区域和未覆盖区域；

形成源极、漏极和导电条，源极和漏极形成在位于金属氧化物半导体层上方的蚀刻阻挡层上，源极和漏极相互间隔并分别与位于金属氧化物半导体层上方的蚀刻阻挡层接触连接，导电条形成在信号线的未覆盖区域上与信号线接触连接；以及

形成绝缘平坦层并在绝缘平坦层上方形成相互绝缘的公共电极和像素电极，公共电极与导电条电连接，像素电极与漏极电连接。