[发明专利]具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构

权利要求书

1.一种封装件，包括：

第一芯片；

多个金属柱，围绕所述第一芯片，其中，所述多个金属柱包括凹进的第一金属柱；

聚合物，位于所述凹进的第一金属柱中，其中，所述凹进的第一金属柱包括在同一水平处位于所述聚合物的相对侧上的部分；

包封材料，围绕所述第一芯片和所述多个金属柱，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面包括低于所述包封材料的顶面水平的第一部分；

重分布结构，位于所述第一芯片和所述多个金属柱下面，并电连接至所述第一芯片和所述多个金属柱；

多个连接焊盘，位于所述重分布结构下面，并电连接至所述重分布结构；以及

第二芯片，电连接至所述凹进的第一金属柱。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面还包括：

第二部分，环绕所述第一部分，所述第二部分高于所述第一部分。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述凹进的第一金属柱包括：

含铜部分；以及

含钛层，位于所述含铜部分上方，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面的所述第一部分包括铜，所述凹进的第一金属柱的顶面的所述第二部分包括含钛层的顶面。

4.根据权利要求1所述的封装件，还包括：

焊料区域，与所述凹进的第一金属柱的所述第一部分接触，其中，所述焊料区域将所述第二芯片接合至所述第一芯片。

5.根据权利要求4所述的封装件，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面还包括：

第二部分，围绕所述第一部分，并且，

所述聚合物位于所述第二部分上方并与所述第二部分接触。

6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述多个金属柱还包括：

凹进的第二金属柱，其中，包封材料的一部分位于所述凹进的第一金属柱和所述凹进的第二金属柱之间，并且，所述包封材料的一部分的顶面低于所述包封材料的顶面水平。

7.一种形成封装件的方法，包括：

在载体上方分布聚合物点以及固化所述聚合物点从而形成牺牲区域；

在所述载体上方形成金属柱，其中，所述金属柱与所述牺牲区域的至少一部分重叠；

将所述金属柱和所述牺牲区域包封在包封材料中；

从所述载体上分离所述金属柱、所述牺牲区域和所述包封材料；以及

去除牺牲区域的至少一部分，以形成从所述包封材料的表面水平延伸至所述包封材料内的凹槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述金属柱包括：

沉积在所述牺牲区域的侧壁和顶面上延伸的毯式金属晶种层；

形成位于所述毯式金属晶种层上方的图案化的光刻胶；以及

在所述图案化的光刻胶中的开口中镀金属柱。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述毯式金属晶种层包括：钛层和位于所述钛层上方的铜层，并且，在去除所述牺牲区域以形成所述凹槽之后，去除所述凹槽中的所述钛层的部分。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属柱与整个所述牺牲区域重叠，并且延伸超过所述牺牲区域的边缘，并且，所述凹槽延伸至所述金属柱内的部分内，并且被所述金属柱的部分环绕。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属柱与所述牺牲区域的第一部分重叠，并且，所述牺牲区域还包括延伸超过所述金属柱的边缘的第二部分，并且，所述包封材料具有暴露于所述凹槽的侧壁。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述牺牲区域延伸进入所述金属柱中，并且其中，所述牺牲区域和所述金属柱由不同的材料形成。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，去除整个所述牺牲区域。