[发明专利]具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构

说明书

一种形成封装件的方法，包括：分布位于载体上方的牺牲区域；形成位于载体上方的金属柱。金属柱与牺牲区域的至少一部分重叠。该方法还包括：将金属柱和牺牲区域包封在包封材料中；从载体上卸下金属柱、牺牲区域和包封材料；以及去除牺牲区域的至少一部分，以形成从包封材料的表面水平延伸至包封材料内的凹槽。本发明实施例涉及具有带有腔体的TIV的InFO‑POP结构。

技术领域

本发明实施例涉及具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯正变得越来越小。同时，更多功能需要集成在半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装在更小的区域内，并且因此I/O焊盘的密度随着时间的推移快速提高。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会对封装产量产生不利影响。

传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被切割之前封装。这种封装技术具有一些有利的特征，诸如更高的生产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有缺陷。由于管芯的尺寸正变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘限制于直接位于相应的管芯的表面上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果焊盘的间距减小，可能会发生焊料桥接。此外，在固定的球尺寸需求下，焊球必须具有特定尺寸，这进而限制可以封装在管芯表面上的焊球的数量。

在另一类封装中，在封装管芯之前从晶圆锯切管芯。这种封装技术的有利特征在于可能形成扇出封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘可以被重新分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增加封装在管芯表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好的管芯”，以及丢弃有缺陷的管芯，因此不在有缺陷的管芯上浪费成本和精力。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种封装件，包括：第一芯片；多个金属柱，围绕所述第一芯片，其中，所述多个金属柱包括凹进的第一金属柱；包封材料，围绕所述第一芯片和所述多个金属柱，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面包括低于所述包封材料的顶面水平的第一部分；重分布结构，位于所述第一芯片和所述多个金属柱下面，并电连接至所述第一芯片和所述多个金属柱；多个连接焊盘，位于所述重分布结构下面，并电连接至所述重分布结构；以及第二芯片，电连接至所述凹进的第一金属柱。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上方形成牺牲区域；在所述载体上方形成金属柱，其中，所述金属柱与所述牺牲区域的至少一部分重叠；将所述金属柱和所述牺牲区域包封在包封材料中；从所述载体上分离所述金属柱、所述牺牲区域和所述包封材料；以及去除牺牲区域的至少一部分，以形成从所述包封材料的表面水平延伸至所述包封材料内的凹槽。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种封装件，包括：包封材料；金属柱，位于所述包封材料中；焊料区域，包括从所述包封材料的顶面延伸至所述金属柱内的第一部分，其中，所述金属柱的部分环绕所述焊料区域的第一部分；以及器件管芯，位于所述包封材料中。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1、图2A和图3至18示出了根据一些实施例的形成封装件的中间阶段的截面图。

图2B示出了根据一些实施例的分布聚合物点的透视图。

图19示出了根据一些实施例的通孔中的凹槽的俯视图。

图20至图26示出了根据一些实施例的封装件中的一些凹槽的截面图。

图27A和图27B分别示出了根据一些实施例的封装件中的细长凹槽的俯视图和截面图。