[发明专利]一种碱性光刻胶剥离液

说明书

一种碱性光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂，本发明中的光刻胶剥离液，可以在30℃至100℃下完全去除晶圆表面上的光刻胶残留物，完全去除晶圆表面光刻胶残余物的同时，不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层Ti/Ni/Ag层，在高温退火之后，能有效防止晶圆背面Ti/Ni/Ag白斑以及色差现象的产生。

技术领域

本发明提供了一种微电子领域，尤其是功率半导体器件和LED芯片制造工艺中用于去除光刻胶残余物的光刻胶剥离液，在利用该光刻胶剥离液在完成清洗及后续高温退火工艺后，不会对晶圆背金Ti/Ni/Ag表面造成白斑或色差现象。

背景技术

在通常的半导体器件制造过程中，需要光刻胶作为抗掩模进行图案化转移，经过曝光、显影、蚀刻等光刻工艺并完成图案化转移之后，需要去除光刻胶残余物，以便进行下一道工艺。在这个过程中要求完全除去光刻胶残余物，同时不能腐蚀任何基底材料。

功率半导体器件由于其自身具有驱动电路简单、驱动功率小、高输入阻抗和开关速度、良好的热稳定性和高频特性等一系列优点获得了广泛的应用。作为功率半导体器件的一个性能指标，需要降低器件的导通电阻。当前，在功率半导体器件制造过程中，为了使功率半导体器件具有较低的导通电阻，通常采用的技术手段是金属化晶圆背面，通过对晶圆背面剪薄清洗等工艺之后，在晶圆背面依次形成钛(Ti)/镍(Ni)/银(Ag)的金属层(少量的晶圆背面金属化层为Ti/Ni/Au)。因此要求在去除光刻胶残余物的工艺中，不能对晶圆背部最上层的金属化层Ag(Au)造成腐蚀和变色。尽管与许多金属相比，银的化学稳定性好，具有较强的抗腐蚀性能，但是由于湿法清洗工艺的特殊性，导致晶圆背部最上层的金属化层Ag非常容易受到光刻胶剥离液的腐蚀而变色，进而影响到LED芯片和功率半导体器件的良率和性能。

另外，为了改善金属和半导体之间的接触，通常在去胶工艺完成之后增加一步热退火工艺，退火温度在300～750℃之间，,通常为惰性气体氛围。当前这种工艺退火时极易造成背面Ti/Ni/Ag被氧化，产生白斑以及色差现象。当前市场上还没有一种光刻胶剥离液能够完全解决去胶及高温退火之后产生的白斑及色差现象。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对当前的功率半导体器件制造工艺过程中，经过光刻胶剥离液去胶及随后的高温退火工艺之后，晶圆背面Ti/Ni/Ag易于被氧化，产生白斑以及色差现象。从而开发一种去胶能力强，操作窗口大，能有效防止晶圆背面Ni/Ag的产生白斑以及色差现象的光刻胶剥离液。

为达到上述目的，本发明所采取的技术方案为：

一种碱性光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂，所述有机醇胺为单乙醇胺、N-二甲基乙醇胺、N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、2-氨基乙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、二甘醇胺中的一种或多种，所述极性有机溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种，所述腐蚀抑制剂为含有氮、氧、硫等原子的有机腐蚀抑制剂，其中较佳的为多元醇类，脲类、酚类，唑类和有机羧酸类中的一种或几种，所述表面活性剂聚醚非离子表面活性剂，如NP-10、AEO9、OP-10、NP-8.6、JFC、Genapol EP2584、GenapolEP2454、Genapol X080、Rhodoclean EFC&MSC、Pluronic PE6200、Pluronic PE6400、Pluronic PE6800。

优选的，所述有机醇胺为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺和二甘醇胺中的一种或其混合物。

优选的，所述有机醇胺占溶液的1-75％。

优选的，所述极性有机溶剂中的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种。

优选的，所述极性有机溶剂中的砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种。