[发明专利]测试系统及其操作方法有效
申请号: | 201810717826.8 | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN109961823B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 范恭鸣 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑特强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种动态随机存取记忆体的测试系统,该动态随机存取记忆体包括一阵列,该阵列包括一第一记忆列、一第二记忆列、一测试胞,该第一记忆列包括一第一字元线以及该第二记忆列包括一第二字元线,该第二字元线紧邻该第一字元线,该测试胞受控于该第二字元线,该测试系统包括:
一工作站,经配置以基于该测试胞的一漏电荷,评估该第二记忆列上的一列锤子效应,该漏电荷是由施加到该第一字元线的一脉冲的一交流成分引起;
其中,该工作站还经配置以测量由该交流成分引起的一漏电流,并且通过将该漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该漏电荷。
2.如权利要求1所述的测试系统,还包括:
一电源供应器,经配置以提供具有一高状态和一低状态的该脉冲,
其中该工作站进一步经配置以建立该高状态的一临界电压电平和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的一关系,该临界漏电荷是由该交流成分引起,
其中该列锤子效应,基于该临界电压电平和该临界漏电荷而发生。
3.如权利要求1所述的测试系统,其中该第一记忆列包括包含一晶体管的一记忆胞,并且该测试系统还包括:
一电源供应器,经配置以分别向该晶体管的一漏极和一源极提供一第一电压和一第二电压,
其中该工作站经配置以建立该第一电压、该第二电压和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系,该临界漏电荷是由该交流成分引起,
其中该列锤子效应,基于该第一电压、该第二电压和该临界漏电荷而发生。
4.如权利要求3所述的测试系统,其中该电源供应器还经配置以向该晶体管的一基极提供一第三电压,
其中该工作站经配置以建立该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷之间的关系,
其中该列锤子效应,基于该第一电压、该第二电压、该第三电压和该临界漏电荷而发生。
5.如权利要求1所述的测试系统,其中该第一记忆列包括包含一晶体管的一记忆胞,并且该测试系统还包括:
一电源供应器,经配置以向该晶体管的一基极提供一第三电压,
其中该工作站经配置以建立该第三电压与来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系,该临界漏电荷是由该交流成分引起,
其中该列锤子效应,基于该第三电压和该临界漏电荷而发生。
6.如权利要求1所述的测试系统,其中该工作站还经配置以通过从由该脉冲引起的一第二电荷中消除由该脉冲的直流成分引起的一第一电荷来计算该漏电荷。
7.如权利要求6所述的测试系统,其中,以交错的方式向该第一字元线施加一直流电流和该脉冲,
其中该工作站经配置以测量来自该测试胞的一第一漏电流,该第一漏电流是由该直流电流引起;测量来自该测试胞的一第二漏电流,该第二漏电流是由该脉冲引起;并且基于该第一漏电流和该第二漏电流评估该列锤子效应。
8.如权利要求7所述的测试系统,其中该工作站还经配置以通过将该第一漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该第一电荷,并且通过将该第二漏电流乘以一个启动周期来计算该第二电荷。
9.一种测试方法,包括:
将一脉冲施加到一记忆体阵列的一第一字元线;以及
基于来自一测试胞的一漏电荷来评估该记忆体阵列的一第二字元线上的一列锤子效应,该漏电荷是由该脉冲的一交流成分引起,
其中该第二字元线紧邻该第一字元线,并且其中该测试胞受控于该第二字元线;
所述测试方法还包括:
测量由该交流成分引起的一漏电流;以及
通过将该漏电流乘以该第一字元线的一个启动周期来计算该漏电荷。
10.如权利要求9所述的测试方法,其中该脉冲具有一高状态和一低状态,该测试方法还包括:
建立该高状态的一临界电压电平和来自该测试胞的一临界漏电荷之间的关系,该临界漏电荷是由该交流成分引起,
其中该列锤子效应,基于该临界电压电平和该临界漏电荷而发生。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810717826.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:应用列信号线的远端电路的存储器电路结构
- 下一篇:一种内存测试方法