[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍型图案；

在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜；以及

在鳍型图案和场绝缘膜上的栅极电极，

其中栅极电极与鳍型图案相交，

其中，所述栅极电极包括依次布置在所述场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分，

其中所述第一部分的第一宽度随着距所述场绝缘膜的第一距离增大而增大，

其中所述第二部分的第二宽度随着距所述场绝缘膜的第二距离增大而减小，

其中所述第三部分的第三宽度随着距所述场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定，并且

其中所述第一距离小于所述第二距离并且所述第二距离小于所述第三距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分包括具有凸起坡度的第一侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第二部分包括具有凸起坡度的第二侧壁，并且

其中所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此接触以在所述栅极电极的最宽宽度处形成嵴部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三部分的第三侧壁的至少一部分具有凹形坡度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分的至少一部分低于所述鳍型图案的顶表面，并且

所述第三部分高于鳍型图案的顶表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍型图案上的栅极电极的宽度随着距场绝缘膜的第四距离增大而增大或基本恒定。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

外延图案，

其中所述鳍型图案包括具有与鳍型图案相邻的凹形坡度的第一沟槽，

其中所述外延图案填充所述第一沟槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

沿着所述栅极电极的侧壁和/或底表面延伸的栅极绝缘膜；以及

在栅极绝缘膜的侧壁上的栅极间隔件。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述栅极绝缘膜沿着所述栅极电极的侧壁和底表面共形地延伸，并且

所述栅极间隔件沿着栅极绝缘膜的侧壁共形地延伸。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述栅极电极的第一部分的底表面低于所述栅极间隔件的底表面，并且低于所述场绝缘膜的顶表面。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在鳍型图案和场绝缘膜上的层间绝缘膜，

其中，层间绝缘膜包括与鳍型图案相交的第二沟槽，并且

其中，所述栅极电极包括沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面延伸的第一功函数调整膜，以及在所述第一功函数调整膜上的势垒导电膜。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅极电极还包括在所述第一功函数调整膜和所述势垒导电膜之间的第二功函数调整膜。

13.一种半导体器件，包括：

鳍型图案，沿第一方向延伸；

在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜；

在所述场绝缘膜上且围绕所述鳍型图案上的沟槽的层间绝缘膜，所述沟槽沿与所述第一方向相交的第二方向延伸并且包括三角形烧瓶形状的横截面；

沿着所述沟槽的侧壁延伸的栅极间隔件；

沿着所述栅极间隔件的侧壁和所述沟槽的底表面延伸的栅极绝缘膜；以及

栅极绝缘膜上的栅极电极。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述栅极间隔件和所述栅极绝缘膜在所述沟槽中共形地延伸。