[发明专利]半导体结构和方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将半导体原料和空位增强原料进行组合以形成组合的原料混合物；以及

将所述原料混合物结晶化为半导体晶锭；

其中，将所述原料混合物结晶化为半导体晶锭包括：使所述原料混合物熔融以形成半导体熔融；使晶种与所述半导体熔融接触并且从所述半导体熔融拉出所述晶种；从所述半导体熔融拉出所述半导体晶锭以形成细颈。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述空位增强原料为氮化物。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：从所述半导体晶锭中分离出一个或多个半导体晶圆。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：在所述一个或多个半导体晶圆的一个半导体晶圆内形成隔离区。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述隔离区进一步包括：

在所述一个或多个半导体晶圆的一个半导体晶圆中的沟槽内沉积介电材料；以及

对所述介电材料进行退火，其中，对所述介电材料进行退火在所述一个或多个半导体晶圆的一个半导体晶圆内生成体微缺陷。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述体微缺陷的浓度大于约1E9#/cm³。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体原料；

将空位增强原料引入所述半导体原料内，所述空位增强原料包括空位增强材料；

将所述半导体原料和所述空位增强材料结晶化为半导体晶锭，其中，所述半导体晶锭包括第一组空位；

从所述半导体晶锭中分离出半导体晶圆，所述半导体晶圆包括所述第一组空位；以及

使用至少部分热工艺将所述第一组空位转换为体微缺陷；

其中，将所述半导体原料和所述空位增强材料结晶化为半导体晶锭包括：使所述半导体原料和所述空位增强材料熔融以形成半导体熔融；使晶种与所述半导体熔融接触并且从所述半导体熔融拉出所述晶种；从所述半导体熔融拉出所述半导体晶锭以形成细颈。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，引入所述空位增强原料在所述半导体原料内引入浓度在大约1E10原子/立方厘米和1E9原子/立方厘米之间的空位增强原料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，结晶化所述半导体原料和所述空位增强原料进一步包括实施Czochralski工艺。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述半导体晶圆内形成沟槽；以及

用介电材料填充所述沟槽；以及

对所述介电材料和所述半导体晶圆进行退火，其中，所述热工艺为至少部分对所述介电材料和所述半导体晶圆进行退火。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

平坦化所述介电材料；以及

在转换所述第一组空位之后对所述介电材料和所述半导体晶圆进行退火。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述空位增强原料是氮化物。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述空位增强原料是氮。

14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将半导体原料置于坩埚内；

将氮引入所述坩埚；

将所述半导体原料和所述氮混合以形成半导体熔融；

使晶种与所述半导体熔融接触并且从所述半导体熔融拉出所述晶种；以及

从所述半导体熔融中拉出半导体晶锭以形成细颈，所述半导体晶锭包括所述氮。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，引入所述氮进一步包括：将氮化硅置于坩埚内。