[发明专利]金属材料、金属-液晶聚合物复合体及其制造方法、以及电子部件

权利要求书

1.一种金属材料，其是具有用于与液晶聚合物接合的表面的金属材料，其中，

在由STEM得到的所述表面的最表层10nm以内的EDS的浓度分布中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中任一层的厚度为1nm以上，所述EDS是指能量分散X射线分析，

在所述表面的Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce的下方，具有Cu、Al、Cr、Ag、Ni、In、Sn中任一种以上的金属或其氧化物的层。

2.根据权利要求1所述的金属材料，其中，

在由STEM得到的所述表面的最表层10nm以内的EDS的浓度分布中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中任一层的厚度为1.5nm以上，所述EDS是指能量分散X射线分析。

3.一种金属-液晶聚合物复合体，其是在权利要求1或2所述的金属材料的所述表面接合液晶聚合物而形成的金属-液晶聚合物复合体。

4.一种金属-液晶聚合物复合体的制造方法，其中，

利用分子内含氮的硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂、氧化锆偶联剂、镁偶联剂、锡偶联剂、铈偶联剂中的任一种，对金属材料实施表面处理，通过压接或注射成形将液晶聚合物接合在所述金属材料的处理面。

5.一种电子部件，其具备权利要求3所述的金属-液晶聚合物复合体。

6.根据权利要求5所述的电子部件，其中，所述电子部件为LED封装体，该LED封装体如下构成：

所述金属材料为经白色镀敷的引线框，

用于与液晶聚合物接合的所述金属材料的表面是通过对所述引线框的白色镀敷表面利用分子内含氮的偶联剂处理而形成，

以所述引线框作为壳电极，在所述壳电极上安装LED芯片，所述芯片周围被由所述液晶聚合物形成的壳体覆盖，所述壳体内填充有含荧光体的密封树脂。

7.根据权利要求5所述的电子部件，其中，所述电子部件为铝、钽和铌中的任一种的电容器，该电容器如下构成：

所述金属材料为阴极端子、阳极端子、以及最表层被金属浆覆盖的电容器本体的一部分或全部，

所述阴极端子、所述阳极端子和所述电容器本体被液晶聚合物覆盖。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的电子部件，其中，

所述液晶聚合物与所述金属材料的热膨胀系数之差为±10ppm/℃。