[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

使用处理液来处理基片的处理步骤；和

干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，

所述干燥步骤包括一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，此时的所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离，大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有相同成分的液体。

3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一干燥液和所述第二干燥液是异丙醇(IPA)。

4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有不同成分的液体。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第一干燥液的温度比所述第二干燥液的温度高。

6.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第二干燥液的流量比所述第一干燥液的流量大。

7.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一干燥液的流量随着所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离的增大而增大。

8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时，所述第一干燥液的温度比所述第二干燥液的温度高，所述第二干燥液的流量比所述第一干燥液的流量大。

9.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述干燥步骤还包括向基片的所述干燥区域供给干燥气体的步骤。

10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：

使所述干燥气体的供给位置不断移动，以使得向所述干燥区域与其外侧的非干燥区域之间的界面附近供给所述干燥气体。

11.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

用于将基片水平保持的基片保持部；

用于使所述基片保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；

对保持于所述基片保持部的基片的表面供给处理液的处理液喷嘴；

供给用于使所述基片干燥的第一干燥液的第一干燥液喷嘴；

供给用于使所述基片干燥的第二干燥液的第二干燥液喷嘴；

对所述处理液喷嘴供给所述处理液的处理液供给机构；

对所述第一干燥液喷嘴供给所述第一干燥液的第一干燥液供给机构；

对所述第二干燥液喷嘴供给所述第二干燥液的第二干燥液供给机构；

使所述处理液喷嘴、所述第一干燥液喷嘴和所述第二干燥液喷嘴在水平方向移动的喷嘴移动机构；和

控制部，其控制所述处理液供给机构、所述第一干燥液供给机构、所述第二干燥液供给机构和所述喷嘴移动机构，来实施权利要求1至7中任一项所述的基片处理方法。