[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

说明书

本发明提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域(DC)呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置(P2)的距离(R1)，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R2)。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等的基片使用处理液进行处理后使其干燥的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，包括从喷嘴对半导体晶片等的基片的表面供给药液来对基片实施湿蚀刻、药液清洗等的液处理的步骤。在供给药液后，对基片供给清洗液例如DIW(纯水)，之后使基片干燥。

在专利文献1中记载有：对由DIW润湿的基片的表面的中心部供给作为高挥发性且低表面张力的液体的IPA，之后，使IPA的供给位置从基片的中心部向周缘部移动，由此，一边使干燥界面(是指IPA干燥并消失的干燥区域与存在IPA的液膜的非干燥区域的界面)逐渐向基片的周缘部扩展，一边使基片的表面干燥。通过这样的方法进行干燥，能够防止发生干燥步骤中的颗粒的产生、图案的崩塌等的不良问题。另外，在专利文献1中还记载有：在供给IPA的同时向基片表面的干燥区域供给氮气。以氮气吹向比干燥界面稍微靠半径方向内侧的位置的方式，使氮气的供给位置从基片的中心部向周缘部移动。通过这样地供给氮气，能够促进干燥并使干燥均匀化。

但是，在近年来的高集成化和高纵横比化不断发展的半导体装置的制造中，即使采用上述的方式，也会发生图案崩塌。作为用于避免图案崩塌的干燥方法，具有升华干燥、超临界干燥等，但是这些干燥方法的成本较高。另外，在近年来，对于IPA残渣等的缺陷的标准变得更加严格，通过上述方法有可能无法满足标准。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-036180号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够使干燥界面的干燥条件最佳化并且防止基片表面上的液膜崩坏的基片的干燥技术。

用于解决问题的技术方案

根据本发明的一个实施方式，提供一种基片处理方法，其包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的上述基片供给挥发性比上述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使上述第一干燥液的上述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使上述基片干燥，上述干燥步骤包括一边将上述第一干燥液供给到上述基片，一边将挥发性比上述处理液高的第二干燥液供给到上述基片的步骤，此时的上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第二干燥液的供给位置的距离，大于从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离。