[发明专利]三维存储器件及在其阶梯区形成接触孔的方法

权利要求书

1.一种在三维存储器件的阶梯区形成接触孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有阶梯区，所述阶梯区具有多个阶梯结构，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的至少一介质层和至少一导电层；

从各阶梯结构的所述至少一导电层被暴露的侧壁去除一部分导电层材料，以形成相对于相邻的介质层的凹陷；

在所述阶梯区覆盖绝缘层，所述绝缘层填充各凹陷；

去除所述阶梯区上表面的绝缘层和介质层，以暴露各阶梯结构顶部的第一导电层，同时保留位于各凹陷的绝缘层；

在各阶梯结构顶部的所述第一导电层上形成第二导电层；以及

在各阶梯结构上形成接触孔。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二导电层的方法为：在各阶梯结构顶部的暴露的第一导电层上生长得到第二导电层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二导电层的方法为：在所述阶梯区覆盖导电材料，同时使各阶梯结构顶部的第一导电层相互之间电绝缘，此时各阶梯结构的所述导电材料构成第二导电层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在各阶梯结构顶部的所述第一导电层上形成第二导电层的步骤中，使得至少部分阶梯结构上的所述第二导电层的厚度大于与所述第二导电层位于同一层的介质层的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导电层的厚度为10-50nm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所保留的位于各导电层的凹陷的绝缘部的宽度为20-80nm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述阶梯结构包括从上到下交替堆叠的两个介质层和两个导电层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多个阶梯结构分别位于所述半导体结构的第一侧和第二侧，其中在相对应的第一侧阶梯结构和第二侧阶梯结构中，所述第一侧阶梯结构底部的导电层与所述第二侧阶梯结构顶部的导电层位于同一层。

9.一种三维存储器件，包括阶梯区，所述阶梯区具有多个阶梯结构，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的至少一栅极层和至少一介质层，其中在任意两个相邻阶梯结构中，第一阶梯结构顶部的第一栅极层的上表面高度，高于第二阶梯结构底部的介质层的下表面高度，第一阶梯结构顶部的第一栅极层与第二阶梯结构中的栅极层电绝缘，所述第一阶梯结构低于所述第二阶梯结构，所述第一栅极层上连接有接触部。

10.如权利要求9所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层的上表面高度比所述第二阶梯结构底部的介质层的下表面高度高10-50nm。

11.如权利要求9所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层具有面向所述第二阶梯结构的第一侧面，所述第二阶梯结构的所述至少一栅极层面向所述第一阶梯结构的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面之间具有间隔，所述间隔被绝缘材料填充，使得第一阶梯结构的所述第一栅极层与所述第二阶梯结构的所述至少一栅极层之间电绝缘。

12.如权利要求11所述的三维存储器件，其特征在于，所述间隔的宽度为20-80nm。

13.如权利要求9所述的三维存储器件，其特征在于，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的两个第一栅极层和两个介质层。

14.如权利要求13所述的三维存储器件，其特征在于，所述多个阶梯结构分别位于所述三维存储器件的第一侧和第二侧，其中在相对应的第一侧阶梯结构和第二侧阶梯结构中，所述第一侧阶梯结构底部的栅极层与所述第二侧阶梯结构顶部的栅极层位于同一层。