[发明专利]一种抗紫外线高分子复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种抗紫外线高分子复合材料，其特征在于：

所述复合材料的原料组成及其重量份比为：改性基础树脂60～80、纳米二氧化铈组分8～10、助剂11.3～16.5，其中，所述改性基础树脂的原料组成及其重量份比为：基础树脂50～80、氢氧化镁8～10、水40～60、改性助剂4～6。

2.根据权利要求1所述的一种抗紫外线高分子复合材料，其特征在于：所述纳米二氧化铈组分为改性纳米二氧化铈，其原料组成及重量份比为：纳米二氧化铈80～100、偶联剂6～8、溶剂60～80。

3.根据权利要求1或2所述的一种抗紫外线高分子复合材料，其特征在于：所述基础树脂为聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、ABS树脂或PS树脂。

4.根据权利要求1或2所述的一种抗紫外线高分子复合材料，其特征在于：所述助剂包括聚乙烯蜡、滑石粉、硅油、抗氧剂1010，所述聚乙烯蜡、滑石粉、硅油、抗氧剂1010与改性基础树脂的重量份比为3～5:6～8:2～3:0.3～0.5:60～80。

5.根据权利要求1或2所述的一种抗紫外线高分子复合材料，其特征在于：所述改性助剂为油酸聚氧乙烯酯，所述偶联剂为钛酸酯偶联剂，所述溶剂为无水乙醇。

6.一种权利要求1所述的抗紫外线高分子复合材料的制备方法，其特征在于：

所述复合材料的制备方法为：先在常温下将各原料按所需比例混合，再将混合料排入双螺杆挤出机中进行挤出造粒即可；

其中，所述改性基础树脂的制备方法为：先将基础树脂和改性助剂按所需比例置于容器中，再加入氢氧化镁和水混合以得到改性物料，然后对改性物料依次进行脱水、干燥，得到改性基础树脂。

7.根据权利要求6所述的一种抗紫外线高分子复合材料的制备方法，其特征在于：

所述纳米二氧化铈组分为改性纳米二氧化铈，其原料组成及重量份比为：纳米二氧化铈80～100、偶联剂6～8、溶剂60～80；

所述纳米二氧化铈组分的制备方法为：先将各原料对按所需比例混合，再对混合料依次进行烘干、研磨以得到改性纳米二氧化铈。

8.根据权利要求6或7所述的一种抗紫外线高分子复合材料的制备方法，其特征在于：

所述复合材料的制备方法中，混合时间为6～8min；

所述改性基础树脂的制备方法中，混合时间为1～2h，干燥温度为70～90℃，干燥时间为20～30min。

9.根据权利要求7所述的一种抗紫外线高分子复合材料的制备方法，其特征在于：

所述纳米二氧化铈组分的制备方法中，混合温度为70～90℃，混合时间为20～30min。

10.根据权利要求6或7所述的一种抗紫外线高分子复合材料的制备方法，其特征在于：

所述基础树脂为聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、ABS树脂或PS树脂；

当基础树脂为聚乙烯树脂时，双螺杆挤出机的工作温度为：一区140±5℃、二区150±5℃、三区160±5℃、四区170±5℃、五区180±5℃、六区190±5℃、机头185±5℃；

当基础树脂为聚丙烯树脂时，双螺杆挤出机的工作温度为：一区180±5℃、二区200±5℃、三区210±5℃、四区220±5℃、五区230±5℃、六区210±5℃、机头210±5℃；

当基础树脂为ABS树脂时，双螺杆挤出机的工作温度为：一区190±5℃、二区200±5℃、三区210±5℃、四区220±5℃、五区230±5℃、六区210±5℃、机头220±5℃；

当基础树脂为PS树脂时，双螺杆挤出机的工作温度为：一区190±5℃、二区200±5℃、三区220±5℃、四区230±5℃、五区235±5℃、六区230±5℃、机头230±5℃。