[发明专利]结合制造工艺及仿真的滚控电子模块贮存可靠性评估方法在审
申请号: | 201810726727.6 | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN108984882A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 翟国富;郑博恺;司爽;林义刚;叶雪荣 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子模块 贮存 可靠性评估 输出特性 关键元器件 功能仿真 退化数据 制造工艺 失效机理分析 灵敏度分析 初始分布 分布参数 分布特性 失效模式 实测数据 退化轨迹 最小二乘 对滚 退化 试验 | ||
1.一种结合制造工艺及仿真的滚控电子模块贮存可靠性评估方法,其特征在于所述方法步骤如下:
步骤一:根据滚控电子模块功能及原理图,在电路仿真软件中建立滚控电子模块功能仿真模型;
步骤二:基于步骤一所建立的滚控电子模块功能仿真模型,利用灵敏度分析方法,结合使用厂家调研结果,确定影响滚控电子模块输出特性指标的关键元器件;
步骤三:根据步骤二中对使用厂家的调研结果,得到滚控电子模块在实际贮存过程中出现的失效模式,分析与之对应的失效机理,确定基于失效物理的各底层关键元器件贮存退化模型形式;
步骤四:针对滚控电子模块各底层关键元器件进行加速贮存退化试验,监测各底层关键元器件输出特性的贮存试验退化数据;
步骤五:通过调研滚控电子模块各底层关键元器件的生产厂家及实际跟厂,得到各底层元器件的工艺过程数据,即各底层元器件的输出特性初始分布情况;同时,结合步骤三中得到的各底层关键元器件贮存退化模型及步骤四中各底层关键元器件输出特性的贮存试验退化数据,利用粒子滤波预测方法,得到具有分布特性的各底层关键元器件贮存退化模型;
步骤六:根据滚控电子模块结构特点,对步骤五中得到的具有分布特性的各底层关键元器件贮存退化模型进行随机抽样,抽选出可构建n个滚控电子模块的n组底层关键元器件组合,并将贮存时间带入,得到n组底层关键元器件组合的贮存退化数据;
步骤七:将步骤六中所得到n组底层关键元器件组合的贮存退化数据带入步骤一中所建立的滚控电子模块功能仿真模型中,得到n组虚拟的滚控电子模块输出特性参数贮存退化数据;
步骤八:利用最小二乘法对步骤八所得到的n组虚拟的滚控电子模块输出特性参数贮存退化数据在各贮存时间下的分布情况进行拟合,得到滚控电子模块各贮存时刻输出特性退化数据分布参数;
步骤九:利用最小二乘法对步骤八中得到的滚控电子模块各贮存时刻输出特性退化数据分布参数进行拟合,得到滚控电子模块输出特性退化数据分布参数退化模型;
步骤十:根据步骤九中得到的滚控电子模块输出特性退化数据分布参数退化模型,将贮存时间t带入,得到t时刻滚控电子模块输出特性退化数据的分布概率密度函数,结合滚控电子模块失效阈值,计算滚控电子模块在t时刻的贮存可靠度。
2.根据权利要求1所述的结合制造工艺及仿真的滚控电子模块贮存可靠性评估方法,其特征在于所述步骤十中,滚控电子模块在t时刻的贮存可靠度计算公式如下:
式中,f(Dt|Y1t,Y2t,…,Ymt)为t时刻退化数据的分布概率密度函数,Dt为t时刻退化数据,Y1t,Y2t,…,Ymt为退化数据分布概率密度函数在t时刻的m个分布参数,KU和KL分别为失效阈值上下限。
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