[发明专利]一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体在审
申请号: | 201810726972.7 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN110629189A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 | 申请(专利权)人: | 广州墨羲科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/458;C23C16/513 |
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地址: | 510623 广东省广州市越秀*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底材料 连接杆 电容耦合 金属箔片 紧固螺母 连接组件 电极片 夹持片 间隔管 等离子体增强化学气相沉积 等离子体 连接杆两端 大型电容 工艺过程 技术空白 耦合 石墨烯 槽孔 穿入 紧固 套在 承载 生产 | ||
本发明涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体,属于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的技术领域,包括电极片、基底材料夹持片、连接组件,其中,连接组件包括多个连接杆、间隔管和紧固螺母,多个连接杆穿入电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中,间隔管套在连接杆上,间隔各片,连接杆两端使用紧固螺母紧固。通过本发明提供的技术方案,实现了在电容耦合PECVD生产石墨烯的工艺过程中,对基底材料为金属箔片的承载和等离子体的产生,解决了现有的大型电容耦合PECVD设备中没有适用于金属箔片的载体的技术空白。
技术领域
本发明属于化学气相沉积的设备领域,更具体的,涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)是利用高频或射频电场激发增强的化学气相沉积,被广泛应用于石墨烯的生长、氮化硅的镀膜等材料的制造工艺。
现有的大型等离子体增强化学气相沉积设备主要应用于生长氮化硅,使用的基底材料的载体为石墨舟。石墨舟作为等离子体源的同时承载着基底材料。
目前尚没有一种大型的等离子体增强化学气相沉积设备用于生产石墨烯,目前的大型PECVD设备无法用于高效的在金属箔片上生产石墨烯,原因在于金属箔片较软,无法安装在石墨舟的卡槽内。因此行业内需要一种适用于承载金属箔片的载体,用于在金属箔片上生产石墨烯及其它材料。
发明内容
本发明的内容是针对现有的PECVD装置用于生长石墨烯及其他碳材料所存在的上述问题,提供一种高效的用于电容耦合PECVD装置的基底材料载体。包括电极片、基底材料夹持片(2)、连接组件。
其中,电极片和基底材料夹持片通过连接组件并列连接。
其中,电极片包括第一组电极片(11)和第二组电极片(12),所述第一组电极片开有多个槽孔(111),所述第二组电极片开有多个槽孔(121)。
其中,基底材料夹持片(2)开有多个槽孔(21)。
其中,连接组件包括多个连接杆(31)、间隔管(32)和紧固螺母(33),多个连接杆(31)穿入第一组电极片、第二组电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中,所述间隔管(32)套在连接杆(31)上,间隔各片,连接杆(31)两端使用紧固螺母(33)紧固。
其中,第一组电极片的材质为耐高温的导体,设置于载体两侧。
其中,连接杆和间隔管的材质为耐高温的绝缘体。
其中,连接杆和间隔管的材质可以为陶瓷。
其中,第二组电极片包括电极夹片(12)和一片基底材料夹持片(2),电极夹片(12)与一片基底材料夹持片(2)通过连接组件夹合在一起,中间夹持基底材料,基底材料为导体,作为第二组电极片的导电部分。第二组电极片(12)设置于第一组电极片(11)内侧。
其中,电极夹片的材质为耐高温的绝缘体。
其中,连接组件还包括导电连接组件,设置于载体两端,所述导电连接组件包括导电连接杆(34)、导电隔块(35)、紧固螺母(33)、导电支撑脚(36);导电隔块(35)和导电支撑脚(36)开有孔,所述连接杆(34)穿入导电隔块(35)和导电支撑脚(36)上开的孔中,导电连接杆(34)两端用紧固螺母(33)紧固。
其中,导电连接杆、导电隔块、导电支撑脚的材质为耐高温的导体。
其中,导电连接杆、导电隔块、导电支撑脚的材质可以为石墨。
其中,紧固螺母(33)的材质为耐高温的材料。
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