[发明专利]一种新型晶圆撕膜机在审

专利信息
申请号: 201810727337.0 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN108674001A 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 杨雪松;王倩;王丽;朱威莉 申请(专利权)人: 江苏纳沛斯半导体有限公司
主分类号: B32B38/10 分类号: B32B38/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 223002 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 撕膜机 控制盖 防护机构 弹性垫片 工作平台 上表面 晶圆 轴承 显示屏安装 主体下表面 凹槽内部 工作效率 摩擦损伤 使用寿命 支撑机构 耐用性 限位槽 限位柱 贴合 异响 显示屏 把手 损伤 侧面
【说明书】:

发明公开了一种新型晶圆撕膜机,包括工作平台、显示屏、撕膜机主体、辅助壳以及撕膜机主体下表面设置的支撑机构,所述撕膜机主体的上表面设置有防护机构,所述防护机构包括限位槽、凹槽、控制盖、轴承、把手、弹性垫片和限位柱,所述工作平台安装设置在撕膜机主体的上表面中间位置处,所述显示屏安装固定于撕膜机主体的侧面;该发明设置有防护机构,控制盖的边缘与凹槽内部的弹性垫片贴合,防止控制盖在关闭时与撕膜机主体碰撞,防止撕膜机主体损伤并增加撕膜机主体的使用寿命,提高撕膜机主体的工作效率,控制盖两侧轴承可防止控制盖在活动时产生异响,并防止控制盖摩擦损伤,增加控制盖的耐用性。

技术领域

本发明属于撕膜机技术领域,具体涉及一种新型晶圆撕膜机。

背景技术

硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的不同尺寸的晶圆,如8英寸晶圆、12英寸晶圆等,在使用晶圆制造集成电路前,需要把晶圆表面的膜撕开,晶圆撕膜方式分为人工撕膜、半自动撕膜机、全自动撕膜机。

现有的撕膜机控制盖在使用时容易发生摩擦产生噪音,长时间使用会减少控制盖的使用寿命,且在控制盖关闭时控制盖下表面边缘与撕膜机表面直接碰撞,容易发生碰撞响声长时间碰撞容易变形,导致撕膜机主体损坏降低使用寿命的问题,为此我们提出一种新型晶圆撕膜机。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型晶圆撕膜机,以解决上述背景技术中提出现有的撕膜机控制盖在使用时容易发生摩擦产生噪音,长时间使用会减少控制盖的使用寿命,且在控制盖关闭时控制盖下表面边缘与撕膜机表面直接碰撞,容易发生碰撞响声长时间碰撞容易变形,导致撕膜机主体损坏降低使用寿命的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种新型晶圆撕膜机,包括工作平台、显示屏、撕膜机主体、辅助壳以及撕膜机主体下表面设置的支撑机构,所述撕膜机主体的上表面设置有防护机构,所述防护机构包括限位槽、凹槽、控制盖、轴承、把手、弹性垫片和限位柱,所述工作平台安装设置在撕膜机主体的上表面中间位置处,所述显示屏安装固定于撕膜机主体的侧面,所述辅助壳安装固定于撕膜机主体的上侧,所述限位槽对称开设在撕膜机主体的上表面且位于工作平台的两侧,所述凹槽开设在撕膜机主体的上表面边缘位置处且与控制盖的位置相对应,所述弹性垫片安装放置在凹槽的内部,所述轴承对称安装固定在控制盖的两侧,所述控制盖通过轴承与撕膜机主体的上表面连接且控制盖的下表面边缘位置与凹槽卡合,所述把手安装固定在控制盖的侧面中间位置处,所述限位柱对称安装固定在控制盖的下表面并放置在限位槽的内部,所述控制盖的上表面设置有控制机构。

优选的,所述控制机构包括第一磁体、第一固定槽、第二磁体、第二固定槽和连接杆,所述第一固定槽对称开设在控制盖的上表面两端,所述第一磁体固定放置在第一固定槽的内部并与第二磁体相互吸引,所述第二磁体固定放置在第二固定槽的内部,所述第二固定槽开设在连接杆的侧面,所述连接杆对称安装在辅助壳的侧面且与第一固定槽的位置相对应。

优选的,所述支撑机构包括支撑腿、防震垫、活动槽和防滑垫,所述支撑腿安装固定在撕膜机主体的下表面四角位置处并放置在活动槽的内部,所述活动槽开设在撕膜机主体的下表面四角位置处,所述防震垫放置在活动槽的内部并与支撑腿的顶端连接,所述防滑垫套设在支撑腿的底端表面。

优选的,所述连接杆的一端与辅助壳侧面连接固定另一端设置有第二磁体,所述连接杆通过第二磁体与第一磁体相互吸引和控制盖侧面连接固定。

优选的,所述凹槽的内部放置有弹性垫片,所述弹性垫片的外表面与凹槽的内表面贴合,所述弹性垫片的内表面放置有控制盖下表面边缘壳体,所述限位柱的一端与限位槽卡合另一端与控制盖的下表面连接固定。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏纳沛斯半导体有限公司,未经江苏纳沛斯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810727337.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top