[发明专利]压电元件及其制造方法、以及压电元件应用装置有效
| 申请号： | 201810733889.2 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109256460B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 角浩二;古林智一;酒井朋裕;北田和也;两角浩一;浅川勉 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/18;H01L41/22;B41J2/14 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;姜克伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 元件 及其 制造 方法 以及 应用 装置 | ||
1.一种压电元件，包括：
第一电极；
压电体层，其被设置于所述第一电极的上方，且包括钾、钠、铌、钛、以及氧；
第二电极，其被设置于所述压电体层的上方，
满足下述通式的、表示所述压电体层中的所述钛的不均匀性的U值为140％以下，所述通式为，
U＝{2×(IMAX-IMIN)/(IMAX+IMIN)}×100，
式中，IMAX是在通过二次离子质量分析法而从所述第二电极侧实施了深度方向分析的情况下，所述压电体层的预定区间中的所述钛的信号的最大强度，IMIN是在通过二次离子质量分析法而从所述第二电极侧实施了深度方向分析的情况下，所述压电体层的预定区间中的所述钛的信号的最小强度。
2.如权利要求1所述的压电元件，其中，
对所述压电体层施加了电场强度为200kV/cm的电场时的泄漏电流的电流密度为1×10-6A/cm2以下。
3.如权利要求1或2所述的压电元件，其中，
所述压电体层的所述钾、所述钠、所述铌以及所述氧的组成满足如下关系，即：(KX，Na1-X)ANbO3，其中，0.1≤X≤0.9、0.85≤A≤1.15。
4.如权利要求1或2所述的压电元件，其中，
所述压电体层包括锂，
所述锂的含量相对于所述钾与所述钠的摩尔数之和为20摩尔％以下。
5.一种压电元件的制造方法，包括：
形成第一电极的工序；
在所述第一电极的上方形成包括钾、钠、铌、钛以及氧的压电体层的工序；
在所述压电体层的上方形成第二电极的工序，
满足下述通式的、表示所述压电体层中的所述钛的不均匀性的U值为140％以下，所述通式为，
U＝{2×(IMAX-IMIN)/(IMAX+IMIN)}×100，
式中，IMAX是在通过二次离子质量分析法而从所述第二电极侧实施了深度方向分析的情况下，所述压电体层的预定区间中的所述钛的信号的最大强度，IMIN是在通过二次离子质量分析法而从所述第二电极侧实施了深度方向分析的情况下，所述压电体层的预定区间中的所述钛的信号的最小强度。
6.如权利要求5所述的压电元件的制造方法，其中，包括：
在形成所述第一电极的工序之前，形成包含钛的层的工序；
在形成所述第一电极的工序之后、且在形成所述压电体层的工序之前，以650℃以上且750℃以下进行热处理的工序，
在形成所述压电体层的工序中，包括进行烧成的工序。
7.一种压电元件应用装置，其包括权利要求1至4中任一项所述的压电元件。
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