[发明专利]压电元件及其制造方法、以及压电元件应用装置有效

专利信息
申请号: 201810733889.2 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN109256460B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 角浩二;古林智一;酒井朋裕;北田和也;两角浩一;浅川勉 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/18;H01L41/22;B41J2/14
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 苏萌萌;姜克伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压电 元件 及其 制造 方法 以及 应用 装置
【说明书】:

本发明提供一种泄漏电流较少的压电元件。压电元件包括:第一电极;压电体层,其被设置于所述第一电极的上方,且包括钾、钠、铌、钛以及氧;第二电极,其被设置于所述压电体层的上方。

技术领域

本发明涉及一种压电元件及其制造方法、以及压电元件应用装置。

背景技术

一般地,压电元件具有:压电体层,其具有电气机械转换特性;两个电极,其对压电体层进行夹持。近年来,将这种压电元件作为驱动源来使用的设备(压电元件应用装置)的开发正在积极地进行中。作为压电元件应用装置之一,存在有以喷墨式记录头为代表的液体喷射头、以压电MEMS(MicroElectro Mechanical System:微机电系统)元件为代表的MEMS构件、以超声波传感器等为代表的超声波测量装置、以及压电致动器装置等。

虽然作为压电元件的压电体层的材料(压电材料),而已知有锆钛酸铅(PZT),但从降低环境负荷的观点出发,正在进行抑制了铅的含量的非铅类的压电材料的开发。作为上述非铅类的压电材料之一,例如提出了如专利文献1那样的、将铌酸钾钠(KNN:(K,Na)NbO3)作为主要成分的KNN类压电体。

然而,在具备上述这样的KNN类压电体层的压电元件中,存在泄漏电流较多的这类问题。

专利文献1:日本特开2014-36035号公报

发明内容

本发明的几个方式所涉及的目的之一在于,提供一种泄漏电流较少的压电元件。本发明的几个方式所涉及的目的之一在于,提供一种泄漏电流较少的压电元件的制造方法。本发明的几个方式所涉及的目的之一在于,提供一种包括上述压电元件的压电元件应用装置。

本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的发明,且能够作为以下的方式而实现。

本发明所涉及的压电元件的一个方式包括:

第一电极;

压电体层,其被设置于所述第一电极的上方,且包括钾、钠、铌、钛以及氧;

第二电极,其被设置于所述压电体层的上方。

在这种压电元件中,与压电体层不包含钛、且包含钾、钠、铌以及氧的情况相比,泄漏电流较少(详细内容参照后述的“3.实施例”)。

另外,在本发明所涉及的记载中,在将“上方”这样的用语用在例如“在特定的物质(以下,称为‘A’)的‘上方’形成其它特定的物质(以下,称为‘B’)”等的情况下,使用“上方”这一用语被设为包含在A上直接形成B这样的情况、和在A上经由其它物质而形成B这样的情况。

在本发明所涉及的压电元件中,也可以采用如下方式,即,

对所述压电体层施加了电场强度为200kV/cm的电场时的泄漏电流的电流密度为1×10-6A/cm2以下。

在这种压电元件中,能够更可靠地抑制由泄漏电流所造成的有效电位的降低。而且,能够更可靠地抑制由泄漏电流所造成的发热、以及由发热所造成的破坏。

在本发明所涉及的压电元件中,也可以采用如下方式,即,

满足下述通式的、表示所述压电体层中的所述钛的不均匀性的U值为140%以下,所述通式为,

U={2×(IMAX-IMIN)/(IMAX+IMIN)}×100,

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