[发明专利]用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法

权利要求书

1.表膜组合物，其包括：

石墨烯量子点化合物；和

溶剂，

其中所述石墨烯量子点化合物包括选自具有50nm或更小的尺寸的石墨烯量子点、或者石墨烯量子点前体的至少一种。

2.如权利要求1所述的表膜组合物，其中所述石墨烯量子点具有至少一种缺陷。

3.如权利要求2所述的表膜组合物，其中具有至少一种缺陷的石墨烯量子点具有选自sp³碳和碳空位的至少一种。

4.如权利要求1所述的表膜组合物，其中所述石墨烯量子点在其边缘处具有

选自羟基、羰基、羧基、环氧基团、胺基、和酰亚胺基的至少一种官能团，或

包括至少一个选自氧和氮的杂原子的官能团。

5.如权利要求1所述的表膜组合物，其中在所述石墨烯量子点中，i)氧的量在0.1原子％-50原子％的范围内，碳的量在30原子％-99原子％的范围内，和氢的量在0.1原子％-40原子％的范围内；或

ii)氧的量在0.1原子％-50原子％的范围内，碳的量在30原子％-99原子％的范围内，氮的量在0.5原子％-40原子％的范围内，和氢的量在0.1原子％-40原子％的范围内。

6.如权利要求1所述的表膜组合物，其中基于所述表膜组合物的总重量，所述石墨烯量子点化合物的量在0.1重量％-40重量％的范围内。

7.如权利要求1所述的表膜组合物，其中当通过拉曼光谱法分析时，所述石墨烯量子点具有0.5或更大的D模式峰对G模式峰的强度比(I_D/I_G)、和0.01或更大的2D模式峰对G模式峰的强度比(I_2D/I_G)。

8.如权利要求1所述的表膜组合物，其中当通过X-射线衍射分析进行分析时，所述石墨烯量子点具有在20°-27°处的来自(002)晶面的峰、和0.3nm-0.5nm的层间距离。

9.如权利要求1所述的表膜组合物，其中所述石墨烯量子点具有0.1nm-30nm的尺寸。

10.如权利要求1所述的表膜组合物，其中所述溶剂为选自如下的至少一种：水、甲醇、异丙醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二氯乙烷、二氯苯、二甲亚砜、二甲苯、苯胺、丙二醇、丙二醇二乙酸酯、3-甲氧基-1,2-丙烷二醇、一缩二乙二醇、乙酰丙酮、环己酮、丙二醇单甲基醚乙酸酯、γ-丁内酯、硝基甲烷、四氢呋喃、硝基苯、亚硝酸丁酯、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、二乙基醚、一缩二乙二醇甲基醚、一缩二乙二醇乙基醚、一缩二丙二醇甲基醚、甲苯、己烷、甲基乙基酮、甲基异丙基酮、羟甲基纤维素、丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、和庚烷。

11.如权利要求1所述的表膜组合物，其进一步包括：

i)选自如下的至少一种第一材料：二维(2D)碳纳米结构体、零维(0D)碳纳米结构体、2D碳纳米结构体前体、和0D碳纳米结构体前体；

ii)选自如下的至少一种第二材料：包含芳族环的单体和包含包括所述包含芳族环的单体的重复单元的聚合物；

iii)选自如下的至少一种第三材料：六方氮化硼衍生物、硫属化物材料、六方氮化硼衍生物前体、和硫属化物材料前体；

iv)选自如下的至少一种第四材料：硅衍生物和金属氧化物；或

其组合。

12.如权利要求11所述的表膜组合物，其中所述2D碳纳米结构体为选自如下的至少一种：石墨烯、还原石墨烯氧化物、石墨烯和还原石墨烯氧化物的任意者的衍生物、以及石墨烯和还原石墨烯氧化物的任意者的杂原子衍生物，和

所述0D碳纳米结构体为选自如下的至少一种：富勒烯，硼巴基球，碳硼烷，以及富勒烯、硼巴基球、和碳硼烷的任意者的衍生物。