[发明专利]用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法在审

专利信息
申请号: 201810735125.7 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN109307983A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 郑盛骏;申铉振;金尚元;朴晟准;薛珉洙;李东郁;李润姓;A.郑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F1/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 表膜 光掩模 量子点 石墨烯 曝光设备 掩模版 组合物形成 溶剂 前体 制造
【说明书】:

提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法,所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括:选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种,所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸;和溶剂。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2017年7月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0095713的权益,将其公开内容全部引入本文作为参考。

技术领域

发明构思涉及用于光掩模的表膜(蒙膜,pellicle)组合物,由所述表膜组合物形成的用于光掩模的表膜、形成所述表膜的方法、包括所述表膜的掩模版(reticle)、和包括所述掩模版的用于光刻(lithography)的曝光设备。

用于光掩模的表膜可作为膜提供在光掩模上以在光刻过程期间保护光掩模免受外部污染物例如灰尘或抗蚀剂(光刻胶)。期望这样的用于光掩模的表膜具有高的对于在光刻中使用的光的透射率、优异的热消散特性、高的强度、高的耐久性、和高的稳定性。

随着对于半导体器件或电子电路的减小的线宽的趋势,对于可用于光刻过程中以实施这样的减小的线宽的更短波长的光和对于适合于在所述光刻过程中使用的光源的表膜材料存在渐增的需要。

发明内容

提供用于光掩模的表膜组合物。

提供包括所述表膜组合物的用于光掩模的表膜、和形成所述表膜的方法。

提供包括所述表膜的掩模版。

提供包括所述掩模版的用于光刻的曝光设备。

另外的方面将部分地在随后的描述中阐明并且部分地将从所述描述明晰,或者可通过所呈现的实施方式的实践而获知。

根据发明构思的实例实施方式,用于光掩模的表膜组合物包括石墨烯量子点化合物、和溶剂。所述石墨烯量子点化合物包括选自如下的至少一种:具有约50nm或更小的尺寸的石墨烯量子点、或者石墨烯量子点前体。

根据发明构思的实例实施方式,用于保护光掩模的表膜包括:包括通过涂布和热处理上述表膜组合物而获得的产物的表膜膜片(membrane)。

根据发明构思的实例实施方式,形成用于光掩模的表膜(所述表膜包括表膜膜片)的方法包括:将上述用于光掩模的表膜组合物提供到基底上并且热处理所述表膜组合物以在所述基底上形成表膜膜片;和将支持(支撑)所述表膜膜片的所述基底的中央区域蚀刻掉,使得所述表膜膜片留下。

根据发明构思的实例实施方式,掩模版包括:光掩模;和上述表膜。

根据发明构思的实例实施方式,用于光刻的曝光设备包括:配置成发射光的光源;和上述掩模版,其中所述掩模版位于从所述光源发射的光的路径中,所述掩模版包括待转印(转移)到基底上的图案;和配置成保护所述光掩模的表膜。

附图说明

由结合附图考虑的实施方式的以下描述,这些和/或其它方面将变得明晰和更容易领会,其中:

图1-4为说明根据实例实施方式的用于光掩模的表膜的结构的横截面图。

图5A和5B说明根据实例实施方式的形成表膜的方法。

图5C至5E为说明根据制造实施例1的制造表膜的过程的横截面图;

图6为说明根据实例实施方式的掩模版的结构的示意性横截面图;

图7为根据实施方式的使用掩模版的用于光刻的曝光设备的示意图;

图8A为根据制造实施例1形成的表膜膜片的横截面的透射电子显微镜(TEM)图像;

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