[发明专利]一种制备全部覆盖侧面电极的方法

权利要求书

1.一种制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：

A．将半导体原材清洗干燥，具体包括：将半导体原材依次在丙酮溶液中利用20～90KHz超声波清洗5min，在异丙醇溶液中利用20～90KHz超声波清洗5min，再在去离子水中利用20～90KHz超声波清洗10min，以此重复3次；然后，采用高纯氮气吹干；

B．在经步骤A处理后的半导体原材表面沉积钝化层，钝化层厚度在200～5000nm；

C．在钝化层上进行光刻处理，得到具有倾斜角度的光刻胶结构；

光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5μ m，前烘时间为60～140s，曝光时间为 3.5～8s，显影时间为35～51s；

D．在经步骤C处理后的半导体原材上刻蚀出台面陡直度为40～80°的台阶；

E．在台阶上沉积金属，然后溶解光刻胶，于半导体原材侧面形成接触电极；

具体包括：利用薄膜沉积法，在台阶上逐层沉积金属电极材料，并形成多层金属；然后，浸泡在丙酮溶液中，直至光刻胶溶解；最后，剥离附着在光刻胶上的金属，于半导体原材侧面形成接触电极；

F．将侧面形成接触电极的半导体原材腐蚀钝化层，形成侧面电极初品；

具体包括：将经步骤E所得侧面形成接触电极的半导体原材置于氢氟酸缓冲液中，腐蚀，除钝化层，最后形成侧面电极初品；

G．将侧面电极初品进行退火处理，得侧面电极终产品；

退火处理具体包括：将侧面电极初产品以20～30℃/min速率加热至350～500℃，保持3～5min，然后以10～20℃/min速率冷却至20～100℃；

所述半导体原材用于制备微纳级的平面横向肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，在步骤B中，沉积钝化层方法为薄膜沉积法。

3.根据权利要求1或2所述的制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，在步骤B中，所述钝化层为二氧化硅材质或氮化硅材质。

4.根据权利要求1所述的制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，在步骤D中，所述刻蚀方法包括干法刻蚀及湿法刻蚀中的一种或者两种同时使用。

5.根据权利要求1所述的制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，所述薄膜沉积法为电子束蒸发技术或磁控溅射技术。