[发明专利]一种制备全部覆盖侧面电极的方法

说明书

本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。

技术领域

本发明涉及一种制备全部覆盖侧面电极的方法，具体涉及一种制备微纳电子器件上侧面电极全部覆盖的方法，属于光电子技术领域。

背景技术

微纳电子器件是指利用微纳级加工和制备技术，如：光刻、外延、微细加工、自组装生长及分子合成技术等，设计制备而成的具有微纳级尺度和特定功能的电子器件。其中，纳米技术是一门在0.1～100um 尺度空间内, 对电子、原子和分子的运动规律和特性进行研究并加以应用的高科技学科，它的目标是用单原子、分子制造具有特定功能的产品。国内外科技界已普遍认为纳米技术已成为当今研究领域中最富有活力、对未来经济和社会发展有着十分重要的研究对象。纳米科技正在推动人类社会产生巨大的变革, 它不仅将促使人类认识的革命, 而且将引发一场新的工业革命。而在微纳技术电子器件的实际使用过程中，微纳技术电子器的侧面电极接触会带来器件的损耗，也影响微纳技术电子器性能和稳定性。

目前，侧面电极的制备方法主要是针对于大尺寸台阶侧面，而未出现台阶侧面高度小于100um的小尺寸器件侧面电极的制备方法，而在微纳电子器件加工中，能够实现台阶侧面电极全部覆盖和部分覆盖，对提升微纳电子器件性能及开拓微纳电子器件结构的设计方法具有非常重要的意义。

微纳电子器件侧面电极的制备方法，属于半导体微纳工艺中的精细加工，由于微纳电子器件的加工尺寸小，工艺对准精度要求高，致使微纳电子器件的侧面电极问题关注的较少，几乎无相关报道。纳米电子器件侧面电极存在方式及制备方法为领域内亟需解决的问题。

国知局于2018年05月29日公开了一种公开号为CN108089381A，专利名称为“侧面电极制作方法”的发明专利文献，公开：在多个正面电极侧面和两玻璃基板侧面形成侧面电极层，所述两玻璃基板设置在所述多个正面电极两侧；对所述侧面电极层进行激光刻蚀形成多个侧面电极，所述多个侧面电极分别与对应的正面电极电连接。根据该申请实施例提供的技术方案，通过将玻璃基板上的电路转移到侧面上与正面电极相连接，从而将原有的玻璃基板上的绑定区域取消，实现了显示器的超窄边框的设计，可以广泛应用于小尺寸产品，但该方法需要用多个玻璃基板进行固定，且只能在玻璃基板上进行侧面电极加工，尺寸也在毫米量级，不需要用到微纳加工工艺，主要针对显示器边框，不涉及微纳电子器件。

于2009年09月18日公开了一种公开号为CN101916636A，专利名称为“贴片凹式电极网络电阻的侧面电极形成工艺”的发明专利，公开：印刷正面电极后通过灌孔方式形成侧面电极导通层(即原有技术的侧面电极的上部)，之后采用掩膜溅射的方式薄膜状地溅射形成背面电极和穿孔孔壁溅射层，通过穿孔孔壁的溅射层完全覆盖侧面电极导通层而形成有效侧面电极，克服了传统工艺中可能存在因绝缘基板的翘曲及灌孔路径不一致问题使电阻的正面电极及背面电极不能完全连接形成导通的侧面电极的缺点，极大地降低了质量隐患；又溅射层采用贱金属合金材料其成本及用量较低，有效降低了生产成本，增强了产品市场竞争力。但该侧面电极的制备工艺适用于贴片凹式电极网络电阻，针对于微纳电子器件的侧面电极制备而言，而不适应，故还是未出现性能稳定及可靠性高的侧面电极制备方法。

发明内容

微纳电子器件台阶侧面电极全部覆盖和部分覆盖对于电极面积或特定要求的微纳电子器件来说区别很大，对微纳电子器件性能有决定性的影响，增大或减小侧面电极面积能提升器件的某些性能，比如：减小电极面积，能降低电容；又比如：增大电极面积，能改善器件的电流分布等。