[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810737317.1 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN108666357B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 齐璞玉;张兵 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B5/30 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,形成于所述衬底基板之上的多个有机发光二极管器件,形成于所述有机发光二极管器件之上的触控电极层,形成于所述触控电极层之上的圆偏光层,以及形成于所述圆偏光层之上的保护层;
所述触控电极层和所述圆偏光层均没有基材,所述触控电极层和所述圆偏光层的总厚度小于10μm;
所述圆偏光层,包括:四分之一相位延迟层;所述四分之一相位延迟层由聚合性液晶混合物构成。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述圆偏光层,还包括:位于所述四分之一相位延迟层背离所述衬底基板一侧的二分之一相位延迟层,以及位于所述二分之一相位延迟层背离所述衬底基板一侧的线偏光层;
所述四分之一相位延迟层的光轴方向与所述线偏光层的吸收轴方向的夹角为75°;
所述二分之一相位延迟层的光轴方向与所述线偏光层的吸收轴方向的夹角为15°。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述二分之一相位延迟层由聚合性液晶混合物构成;
所述圆偏光层,还包括:位于所述四分之一相位延迟层靠近所述衬底基板一侧的第一配向层,位于所述四分之一相位延迟层与所述二分之一相位延迟层之间的第二配向层,以及位于所述二分之一相位延迟层与所述线偏光层之间的第三配向层。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述线偏光层由二色性染料和聚合性液晶混合物构成。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极层,包括:交叉设置且相互绝缘的触控驱动电极和触控感应电极。
6.一种如权利要求1~5任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成多个有机发光二极管器件;
在所述有机发光二极管器件之上形成触控电极层;
在所述触控电极层之上形成圆偏光层,所述触控电极层和所述圆偏光层均没有基材,所述触控电极层和所述圆偏光层的总厚度小于10μm;所述圆偏光层,包括:四分之一相位延迟层;所述四分之一相位延迟层由聚合性液晶混合物构成;
在所述圆偏光层之上形成保护层。
7.如权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述触控电极层,包括:交叉设置且相互绝缘的触控驱动电极和触控感应电极;
采用以下方式形成所述触控驱动电极或触控感应电极:
在所述有机发光二极管器件之上涂覆一层紫外光固化层;
采用压印工艺并同时进行紫外光固化,以使所述紫外光固化层形成多个凹槽结构;
在各所述凹槽结构中浇注卤化银溶液;
对浇注卤化银溶液后的所述显示面板进行加热,以得到触控驱动电极或触控感应电极。
8.如权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述在所述触控电极层之上形成圆偏光层,包括:
在所述触控电极层之上形成四分之一相位延迟层;
在所述四分之一相位延迟层之上形成二分之一相位延迟层;
在所述二分之一相位延迟层之上形成线偏光层。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述四分之一相位延迟层和所述二分之一相位延迟层均由聚合性液晶混合物构成;
在所述触控电极层之上形成四分之一相位延迟层之前,还包括:
在所述触控电极层之上形成第一配向层;
在所述触控电极层之上形成四分之一相位延迟层之后,在所述四分之一相位延迟层之上形成二分之一相位延迟层之前,还包括:
在所述四分之一相位延迟层之上形成第二配向层;
在所述四分之一相位延迟层之上形成二分之一相位延迟层之后,在所述二分之一相位延迟层之上形成线偏光层之前,还包括:
在所述二分之一相位延迟层之上形成第三配向层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~5任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的