[发明专利]量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将第一卤化物AX和第二卤化物BX₂置于溶剂中；

在设定温度下，对反应体系搅拌分散设定时间，以0.1℃-1℃/24h的降温速率进行降温，生成包含ABX₃量子点的A₄BX₆单晶薄膜，作为所述量子点发光层；

其中，A为Cs+、CH₃NH₃⁺、或者HC(NH₂)₂⁺；

B为Pb²⁺、或者Sn²⁺；

X为Cl^-、Br^-、或者I^-；

所述第一卤化物AX、所述第二卤化物BX₂、所述溶剂的摩尔比为3-6：1：3-6。

2.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括：体积比为1-5:1的有机溶剂和添加剂；

所述添加剂为氢卤酸。

3.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述设定温度为60℃-80℃；

所述设定时间为20h-30h。

4.一种量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层通过权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到。

5.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括权利要求4所述的量子点发光层。

6.根据权利要求5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：依次层叠的透明导电电极、空穴传输层、所述量子点发光层、电子传输层、金属电极。

7.根据权利要求5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：依次层叠的透明导电电极、电子传输层、所述量子点发光层、空穴传输层、金属电极。

8.根据权利要求5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括：依次层叠的透明导电电极、所述量子点发光层、金属电极。

9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供设置有空穴传输层的透明导电电极；

在所述空穴传输层上生长量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成金属电极；

其中，所述量子点发光层通过权利要求1-3任一项所述方法制备得到。

10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供设置有电子传输层的透明导电电极；

在所述电子传输层上生长量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成金属电极；

其中，所述量子点发光层通过权利要求1-3任一项所述方法制备得到。

11.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供透明导电电极；

在所述透明导电电极上生长量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成金属电极；

其中，所述量子点发光层通过权利要求1-3任一项所述方法制备得到。

12.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供量子点发光层；

在所述量子点发光层的一面形成透明导电电极；

在所述量子点发光层的另一面形成金属电极；

其中，所述量子点发光层通过权利要求1-3任一项所述方法制备得到。