[发明专利]量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法

说明书

本发明涉及量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法，属于液晶显示领域。该量子点发光层的制备方法包括：将第一卤化物AX和第二卤化物BX₂置于溶剂中；在设定温度下，对反应体系搅拌分散设定时间，以0.1℃‑1℃/24h的降温速率进行降温，生成包含ABX₃量子点的A₄BX₆单晶薄膜，作为所述量子点发光层；其中，A为Cs+、CH₃NH₃⁺、或者HC(NH₂)₂⁺；B为Pb²⁺、或者Sn²⁺；X为Cl^‑、Br^‑、或者I^‑；所述第一卤化物AX、所述第二卤化物BX₂、所述溶剂的摩尔比为3‑6：1：3‑6。该方法解决了ABX₃量子点成膜性差的问题。所形成的A₄BX₆单晶薄膜具有更高的发光效率。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法。

背景技术

金属卤素钙钛矿材料指的是具有钙钛矿结构的金属卤化物，由于其量子限域效应明显、荧光量子产率较高、尺寸均一等特点，在光电应用领域受到广泛关注。

相关技术中，通过溶液旋涂两步法，依次在纳米多空二氧化钛薄膜上沉积PbI₂和CH₃NH₃I合成钙钛矿CH₃NH₃PbI₃多晶薄膜，并将其作为量子点发光层，用于量子点发光二极管中。或者，使金属卤素钙钛矿量子点与聚合物复合，形成含金属卤素钙钛矿量子点的薄膜。

在实现本发明的过程中，本发明人发现现有技术中至少存在以下问题：

钙钛矿多晶薄膜的发光效率较低，金属卤素钙钛矿量子点与聚合物复合，成膜性较差。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法。

具体而言，包括以下的技术方案：

一方面，提供了一种量子点发光层的制备方法，所述制备方法包括：将第一卤化物AX和第二卤化物BX₂置于溶剂中；

在设定温度下，对反应体系搅拌分散设定时间，以0.1℃-1℃/24h的降温速率进行降温，生成包含ABX₃量子点的A₄BX₆单晶薄膜，作为所述量子点发光层；

其中，A为Cs+、CH₃NH₃⁺、或者HC(NH₂)₂⁺；

B为Pb²⁺、或者Sn²⁺；

X为Cl^-、Br^-、或者I^-；

所述第一卤化物AX、所述第二卤化物BX₂、所述溶剂的摩尔比为3-6：1：3-6。

在一种可能的实现方式中，所述溶剂包括：体积比为1-5:1的有机溶剂和添加剂；

所述添加剂为氢卤酸。

在一种可能的实现方式中，所述设定温度为60℃-80℃；

所述设定时间为20h-30h。