[发明专利]通用测试插座、半导体测试装置及测试半导体器件的方法

权利要求书

1.一种通用测试插座，包括：

第一子层，所述第一子层包括多个第一直通导体，所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中；和

第二子层，所述第二子层包括多个第二直通导体，所述第二子层堆叠在所述第一子层上，使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触，所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中，所述第二节距小于或等于所述第一节距，

其中，所述多个第一直通导体均包括凹形电极和填充在所述凹形电极中的导电粉末或碳基纳米结构。

2.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，所述第二节距小于或等于所述第一节距的1/2。

3.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，所述第一节距小于或等于在测试中的封装件的端子的节距的1/2。

4.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，

所述第一节距为15微米至70微米；并且

所述第二节距为5微米至30微米。

5.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，所述多个第二直通导体包括线引脚或者细导电颗粒阵列。

6.根据权利要求5所述的通用测试插座，其中，所述细导电颗粒阵列的所述第二节距基本上等于所述第一节距。

7.根据权利要求5所述的通用测试插座，其中，

所述多个第二直通导体包括所述线引脚；并且

所述线引脚是倾斜的。

8.根据权利要求1所述的通用测试插座，进一步包括：

在所述第一基片上的第三子层，所述第三子层包括多个第三直通导体，所述多个第三直通导体以第三节距布置，所述第三节距与所述第二节距基本上相同。

9.根据权利要求8所述的通用测试插座，其中，所述第三子层具有与所述第二子层相同的结构。

10.根据权利要求1所述的通用测试插座，进一步包括：

在所述第二基片上的第四子层，所述第四子层包括多个第四直通导体，所述多个第四直通导体以第四节距布置，所述第四节距与所述第一节距基本上相同。

11.根据权利要求10所述的通用测试插座，其中，所述第四子层具有与所述第一子层相同的结构。

12.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，所述第一子层和所述第二子层通过范德华力彼此可拆卸地附着。

13.根据权利要求1所述的通用测试插座，其中，所述多个第一直通导体与待测试的封装件接触的部分包括球形表面或尖点。

14.一种半导体测试装置，包括：

测试主体，被配置为测试半导体器件，所述测试主体包括通用测试插座，所述通用测试插座包括：

第一子层，所述第一子层包括多个第一直通导体，所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中，其中，所述多个第一直通导体均包括凹形电极和填充在所述凹形电极中的导电粉末或碳基纳米结构；和

第二子层，所述第二子层包括多个第二直通导体，所述第二子层堆叠在所述第一子层上，使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触，所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中，所述第一节距以及所述第二节距小于或等于所述半导体器件的端子的节距的1/2；以及

处理器，被配置为控制由所述测试主体执行的测试。

15.根据权利要求14所述的半导体测试装置，其中，所述第一节距和所述第二节距中的至少一个小于或等于所述半导体器件的端子的节距的1/5。