[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、支架、支撑件、介质窗和至少一个密封件；

所述支架夹设在所述腔室本体和所述介质窗之间，所述支撑件夹设在所述介质窗和所述支架之间；其中，

所述介质窗与所述支架的靠近所述腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容所述支撑件；并且，

在所述支撑件与所述介质窗之间和/或所述支撑件与所述支架之间设置有所述密封件。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，

所述介质窗包括第一表面以及自所述第一表面朝向远离该第一表面的方向凹陷形成的第二表面；

所述支架包括第一顶面以及自所述第一顶面向远离该第一顶面的方向凹陷形成的第二顶面；

所述第一表面与所述第一顶面相对间隔设置，所述第二表面与所述第二顶面相对间隔设置；

所述第二表面和所述第二顶面之间的区域形成所述收容结构，所述支撑件夹设在所述第二表面和所述第二顶面之间。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述密封件的数量为两个，分别为第一密封件和第二密封件；

所述第一密封件夹设在所述介质窗的第二表面与所述支撑件之间，所述第二密封件夹设在所述支架的第二顶面与所述支撑件之间。

4.根据权利要求2或3所述的工艺腔室，其特征在于，所述支架还包括朝向所述腔室本体内侧的第一侧面；

所述第一侧面和/或所述第一顶面上设置有耐等离子体涂层。

5.根据权利要求2或3所述的工艺腔室，其特征在于，所述介质窗、所述支架以及所述支撑件之间的尺寸关系至少满足下述一项关系式：

1mm≤H₁≤2mm；

0mm＜H₂≤1mm；

0mm＜H₃≤1mm；

1mm≤H₄≤2mm；

其中，H₁为所述介质窗的第一表面与所述支架的第一顶面之间的垂直距离，H₂为所述介质窗的第二表面与所述支撑件之间的垂直距离，H₃为所述支架的第二顶面与所述支撑件之间的垂直距离，H₄为所述支撑件靠近所述介质窗的第一表面的端部与所述介质窗的第一表面和第二表面交界处的垂直距离。

6.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括：

腔室内衬，包括屏蔽部以及与所述屏蔽部连接的安装部，所述安装部夹设在所述腔室本体和所述支架之间，所述屏蔽部位于所述腔室本体内侧；

所述支架与所述安装部、所述腔室本体之间具有交错设置的多个配合结构；

所述支架与所述腔室本体之间设置有所述密封件；

所述支架包括第一底面以及自所述第一底面向远离该第一底面凸出的第二底面；

所述安装部包括朝向所述支架的第三表面，所述腔室本体包括朝向所述支架的第四表面，并且，所述安装部的第三表面凸出于所述腔室本体的第四表面；

所述第一底面与所述第三表面相对间隔设置，所述第二底面与所述第四表面相对间隔设置，所述第一底面和所述第三表面均靠近所述腔室本体内侧，所述第二底面和所述第四表面均远离所述腔室本体内侧；

其中，所述第一底面与所述第三表面形成一组所述配合结构，所述第二底面与所述第四表面形成一组所述配合结构，所述第二底面与所述第四表面之间设置有所述密封件。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述支架的第一底面以及连接所述第一底面和第二底面的连接面上均设置有耐等离子体涂层。