[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

说明书

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体、支架、支撑件、介质窗和至少一个密封件；支架夹设在腔室本体和介质窗之间，支撑件夹设在介质窗和支架之间；其中，介质窗与支架的靠近腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容支撑件；并且，在支撑件与介质窗之间和/或支撑件与支架之间设置有密封件。在介质窗与支架的靠近腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容支撑件。并且，在支撑件与介质窗、支架相接触的部分设置有密封件。这样，在进行工艺时，可以延长等离子体扩散至密封件的扩散路径，避免等离子体刻蚀密封件出现的颗粒污染现象，提高腔室本体的洁净度，以提高晶圆的加工良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种工艺腔室和一种半导体处理设备。

背景技术

在半导体刻蚀设备中，通常将射频电源提供的射频能量传输到工艺腔室中，电离高真空状态下的特殊气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N₂、氢气H₂等)，产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子和置于工艺腔体并曝露在等离子体环境下的晶圆之间发生复杂的相互作用，使晶圆材料表面发生各种物理和化学反应，从而使材料表面性能发生变化，完成晶圆的刻蚀工艺。

但是，当工艺腔室处于启辉状态时，介质窗与支架间、支架与工艺腔室之间的等离子体密度相对较高。因此，此周围区域零件(等离子体浓度较高区域)受等离子体轰击刻蚀影响较大，因此会产生金属污染和颗粒污染，导致晶圆良率降低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括腔室本体、支架、支撑件、介质窗和至少一个密封件；

所述支架夹设在所述腔室本体和所述介质窗之间，所述支撑件夹设在所述介质窗和所述支架之间；其中，

所述介质窗与所述支架的靠近所述腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容所述支撑件；并且，

在所述支撑件与所述介质窗之间和/或所述支撑件与所述支架之间设置有所述密封件。

可选地，所述介质窗包括第一表面以及自所述第一表面朝向远离该第一表面的方向凹陷形成的第二表面；

所述支架包括第一顶面以及自所述第一顶面向远离该第一顶面的方向凹陷形成的第二顶面；

所述第一表面与所述第一顶面相对间隔设置，所述第二表面与所述第二顶面相对间隔设置；

所述第二表面和所述第二顶面之间的区域形成所述收容结构，所述支撑件夹设在所述第二表面和所述第二顶面之间。

可选地，所述密封件的数量为两个，分别为第一密封件和第二密封件；

所述第一密封件夹设在所述介质窗的第二表面与所述支撑件之间，所述第二密封件夹设在所述支架的第二顶面与所述支撑件之间。

可选地，所述支架还包括朝向所述腔室本体内侧的第一侧面；

所述第一侧面和/或所述第一顶面上设置有耐等离子体涂层。

可选地，所述介质窗、所述支架以及所述支撑件之间的尺寸关系至少满足下述一项关系式：

1mm≤H₁≤2mm；

0mm＜H₂≤1mm；

0mm＜H₃≤1mm；

1mm≤H₄≤2mm；