[发明专利]一种用于制备纳米材料的电化学沉积支架在审

专利信息
申请号: 201810750796.0 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN108842177A 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 郭秋泉;赵呈春;杨军 申请(专利权)人: 深圳拓扑精膜科技有限公司
主分类号: C25D11/04 分类号: C25D11/04
代理公司: 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 代理人: 郭防;吴元元
地址: 518000 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 导电组件 基底 支架底座 前盖板 电化学沉积 纳米材料 支架 制备 多孔膜技术 阳极氧化铝 装配式结构 固定效果 结构稳定 密封性能 有效使用 粘接结构 胶水 电解液 拆装 通孔 零部件 腐蚀 贯穿
【说明书】:

发明涉及阳极氧化铝多孔膜技术领域,特别是一种用于制备纳米材料的电化学沉积支架。它包括基底、前盖板、支架底座和导电组件,基底经前盖板和支架底座固定,导电组件设置于支架底座上,基底和导电组件连接,前盖板上还贯穿开设有通孔A。它结构稳定,对基底的固定效果好,密封性能良好,能防止电解液对导电组件的腐蚀,并且整体为装配式结构,没有任何胶水或粘接结构,易于拆装和更换零部件,有利于装置长期有效使用。

技术领域

本发明涉及阳极氧化铝多孔膜技术领域,特别是一种用于制备纳米材料的电化学沉积支架。

背景技术

AAO多孔纳米模板是阳极氧化铝模板的一种,具有孔高度均匀分布、孔径统一、孔形可控和表面积大等优点,具有良好的市场应用前景。以双通AAO为模板,通过电化学沉积法,可以方便地制备高长径比的、高密度的金属纳米线。重要的是,为了保证纳米线只在模板内部的纳米孔内生长,必须对模板进行有效的密封,而仅在电解液中露出需要反应的部分。另外为了保证纳米线生长过程的均匀性,需要充分考虑结构对液体流动性的影响。目前的AAO多孔纳米模板在进行制备的过程中,由于没有合适的标准固定支撑的支架,研究人员自制的机构复杂而且不适用,用于制备AAO多孔纳米模板的基底由于厚度较薄易发生断裂,并且密封性能差,常发生电解液的酸液渗透,对与基底连接的导线造成腐蚀,使得装置不能长期有效的使用,不利于大面积产业化的应用。因此需要设计一种新的用于制备纳米材料的电化学沉积支架作为AAO多孔纳米模板制备时的载体,并可应用于其它氧化铝模板的制备。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种用于制备纳米材料的电化学沉积支架,结构稳定,对基底的固定效果好,密封性能良好,能防止电解液对导电组件的腐蚀,并且整体为装配式结构,没有任何胶水或粘接结构,易于拆装和更换零部件,有利于装置长期有效使用。

为解决上述技术问题,本发明采用如下的技术方案:

一种用于制备纳米材料的电化学沉积支架,包括基底、前盖板、支架底座和导电组件,所述基底经前盖板和支架底座固定,所述导电组件设置于支架底座上,所述基底和导电组件连接,所述前盖板上还贯穿开设有通孔A。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述支架底座上开设有安装槽、阶梯槽和通孔B,所述阶梯槽位于安装槽上部,所述基底设置于安装槽中,所述阶梯槽中还设置有密封圈,所述密封圈一面与基底、阶梯槽底部接触,另一面与前盖板接触,所述通孔B贯穿开设于安装槽中,所述基底经通孔B与导电组件连接。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述支架底座侧面还一体成型有固定杆,所述支架底座和固定杆上还开设有与通孔B连接的导电线槽,所述导电线槽位于远离前盖板的一侧,所述导电线槽自通孔B处开设至固定杆顶部,所述导电线槽上还设置有背面密封条。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述导电组件包括导电金属块和导电金属条,所述导电金属块设置于通孔B中,所述导电金属块一面与基底接触,另一面还连接有导电金属条,所述导电金属条设置于导电线槽中。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述导电组件还包括导电金属垫片,所述导电金属垫片设置于安装槽底部,所述导电金属垫片一面与基底接触,另一面与导电金属块接触。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述导电组件为导线,所述导线经导电线槽和通孔B与基底连接。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述通孔B开设于安装槽的中心。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,还包括固定螺丝,所述前盖板和支架底座经固定螺丝连接。

前述的用于制备纳米材料的电化学沉积支架,所述通孔A远离支架底座的一端开设有倒角。

与现有技术相比,本发明的有益之处在于:

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