[发明专利]一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法在审
| 申请号： | 201810752894.8 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108796565A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D15/00 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅粉末 碳化硅复合镀层 镀液 半导体 电沉积 无水乙醇 电镀 预处理 致密 表面结构 超声分散 复合镀层 耐磨性能 去离子水 硫酸锌 碳化硅 粒径 球磨 硫酸 清洗 | ||
1.一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，包括：
(1)向碳化硅中加入无水乙醇，球磨12～36h，于80～100℃干燥3～5h，得到粒径为10～100nm的碳化硅粉末；
(2)将上述碳化硅粉末加入镀液中，超声分散1～2h，使碳化硅粉末均匀地分散在镀液中，其中，所述镀液主要由150～170g/L的硫酸锌与50～80g/L的硫酸组成；
(3)将预处理过的被镀物体置于上述含碳化硅粉末的镀液中进行电镀，电镀后分别用无水乙醇和去离子水清洗2～5次，干燥，得到半导体碳化硅复合镀层。
2.根据权利要求1所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，步骤(2)中，1L所述镀液中含有2～10g碳化硅粉末。
3.根据权利要求2所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，1L所述镀液中含有5～8g碳化硅粉末。
4.根据权利要求1所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，步骤(3)中，电镀的条件为：电流密度1～3A/dm2，电镀温度25～35℃，电镀时间30～40min。
5.根据权利要求1所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，所述镀液中还包括稳定剂。
6.根据权利要求1所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，所述镀液中还包括抗氧化剂。
7.根据权利要求1所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，所述半导体碳化硅复合镀层的厚度为0.1～0.8mm。
8.根据权利要求7所述的电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其特征在于，所述半导体碳化硅复合镀层的厚度为0.3～0.6mm。
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