[发明专利]一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法

说明书

本发明公开了一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，包括：(1)向碳化硅中加入无水乙醇，球磨12～36h，于80～100℃干燥3～5h，得到粒径为10～100nm的碳化硅粉末；(2)将上述碳化硅粉末加入镀液中，超声分散1～2h，使碳化硅粉末均匀地分散在镀液中，其中，所述镀液主要由150～170g/L的硫酸锌与50～80g/L的硫酸组成；(3)将预处理过的被镀物体置于上述含碳化硅粉末的镀液中进行电镀，电镀后分别用无水乙醇和去离子水清洗2～5次，干燥，得到半导体碳化硅复合镀层。本发明中，通过电沉积方法得到的半导体碳化硅复合镀层不仅具有致密的表面结构，而且，通过加入碳化硅粉末使得该复合镀层具有良好的耐磨性能。

技术领域

本发明涉及材料技术领域，特别是涉及一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法。

背景技术

电化学镀层是利用金属电沉积在制件表面形成均匀、致密、结合良好的金属或合金沉积层。电化学镀层已经有200多年的发展历史，最早的电镀是1803年法国的L.Brugnattlli在银片表面成功镀金。随后，电化学镀金、银、铜、镍、铬、锌的技术渐渐发展，使得电镀工业在19世纪中期形成了较为完整的体系。在众多钢铁镀层中，锌镀层由于其自腐蚀电位较负，对钢铁具备牺牲阳极的防护作用，此外，锌镀层晶体结构致密，屏障作用好，从而被广泛应用于钢铁防护。

在水体环境中，钢铁的服役寿命受到物理因素、化学因素与生物因素的共同作用，传统的钢铁用锌镀层能够良好的抵御化学因素和部分物理因素引起的腐蚀加速问题，但其耐磨性能还不够理想。

为此，有必要针对上述问题，提出一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，其能够解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法，包括：

(1)向碳化硅中加入无水乙醇，球磨12～36h，于80～100℃干燥3～5h，得到粒径为10～100nm的碳化硅粉末；

(2)将上述碳化硅粉末加入镀液中，超声分散1～2h，使碳化硅粉末均匀地分散在镀液中，其中，所述镀液主要由150～170g/L的硫酸锌与50～80g/L的硫酸组成；

(3)将预处理过的被镀物体置于上述含碳化硅粉末的镀液中进行电镀，电镀后分别用无水乙醇和去离子水清洗2～5次，干燥，得到半导体碳化硅复合镀层。

优选的，步骤(2)中，1L所述镀液中含有2～10g碳化硅粉末。

优选的，1L所述镀液中含有5～8g碳化硅粉末。

优选的，步骤(3)中，电镀的条件为：电流密度1～3A/dm²，电镀温度25～35℃，电镀时间30～40min。

优选的，所述镀液中还包括稳定剂。

优选的，所述镀液中还包括抗氧化剂。

优选的，所述半导体碳化硅复合镀层的厚度为0.1～0.8mm。

优选的，所述半导体碳化硅复合镀层的厚度为0.3～0.6mm。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明中，通过电沉积方法得到的半导体碳化硅复合镀层不仅具有致密的表面结构，而且，通过加入碳化硅粉末使得该复合镀层具有良好的耐磨性能。

具体实施方式

本发明通过下列实施例作进一步说明：根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。