[发明专利]一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法

说明书

本发明提供一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法，属于微电子技术领域，包括：所述ArF准分子激光设备对位于所述掩膜台上的所述光罩进行所述曝光工艺时，控制所述气体管路中输送至所述掩膜台的所述压缩干燥空气的气体流量符合预设流量策略；所述预设流量策略为输出方向为朝向所述光罩的图形区域(Pattern)的气体流量为150L/min以及输出方向为朝向所述光罩的薄膜区域(Pellicle)的气体流量为80L/min。本发明的有益效果：由于不恰当的湿度是Haze多发的主要因素，设备方面通过调整压缩干燥空气的气体流量降低湿度，从而在保证设备精度的同时，改善Haze生长状况。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法。

背景技术

光罩在晶圆厂的日常使用中会因为环境、存储方式等因素的影响产生雾状缺陷(Haze)，目前在全世界范围内还是个无法避免和解决的课题。

通过数据和理论分析，发现ArF准分子激光设备的掩膜台(Reticle stage)的湿度25％远大于浸入式设备(IMM)的5％，从而导致了机台内部环境的恶劣，容易滋生Haze。ArF准分子激光设备雾状缺陷发生率(Haze Rate)非常高，很容易造成重复缺陷(Repeatdefect)，严重影响产品良率。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明涉及一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法。本发明采用如下技术方案：

一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法，适用于进行光罩的曝光工艺的ArF准分子激光设备，所述ArF准分子激光设备包括用于进行所述曝光工艺的掩膜台和用于在所述曝光工艺过程中向所述掩膜台输送压缩干燥空气(Compressed dry air，CDA)的气体管路，所述方法包括：

所述ArF准分子激光设备对位于所述掩膜台上的所述光罩进行所述曝光工艺时，控制所述气体管路中输送至所述掩膜台的所述压缩干燥空气的气体流量符合预设流量策略；

所述预设流量策略为输出方向为朝向所述光罩的图形区域(Pattern)的气体流量为150L/min以及输出方向为朝向所述光罩的薄膜区域(Pellicle)的气体流量为80L/min。

优选的，所述光罩放置在所述掩膜台上后，所述图形区域朝上，所述薄膜区域朝下。

优选的，所述气体管路包括：

上管路口，所述上管路口设置于所述光罩的所述图形区域的上方，用于输出所述压缩干燥空气；

下管路口，所述上管路口设置于所述光罩的所述薄膜区域的下方，用于输出所述压缩干燥空气。

优选的，所述ArF准分子激光设备还包括：

光罩缓存区，所述光罩缓存区用于缓存用于进行所述曝光工艺的多个所述光罩。

优选的，所述ArF准分子激光设备还包括：

移动单元，所述移动单元用于将所述光罩缓存区中的所述多个光罩逐个移动至所述掩膜台以完成所述曝光工艺。

优选的，所述ArF准分子激光设备还包括：

分流管路，所述分流管路连接在所述气体管路，用于分流部分所述压缩干燥空气至所述光罩缓存区。

优选的，所述ArF准分子激光设备还包括：

分配单元，所述分配单元用于控制分流到所述光罩缓存区所述压缩干燥空气的流量和分流到所述掩膜台的所述压缩干燥空气的流量。

优选的，所述ArF准分子激光设备还包括：

压缩干燥空气温度控制器，所述压缩干燥空气控制器设置于所述气体管路上，用于控制所述干燥空气的温度。