[发明专利]一种像素限定层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种像素限定层结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上间隔设置多个像素界定结构；

配制聚噻吩衍生物溶液，将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面，形成聚噻吩衍生物层；

通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层，所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光，所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性；

通过显影过程，去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层，得到像素限定层结构，其中，所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层，侧表面为所述亲有机溶剂层。

2.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻吩衍生物溶液中的聚噻吩衍生物具有如式(Ⅰ)所示的结构，

其中，R₁、R₂独立地选自C₁-C₂₅的烷基、C₁-C₂₅的卤代烷基和C₆-C₂₅的芳香基中的至少一种，所述烷基为直链或带有支链的链状烷基，所述卤代烷基为直链或带有支链的卤代烷基，n为100-180的整数。

3.如权利要求2所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述芳香基结构为时，R₃选自C₁-C₂₅的烷基、C₁-C₂₅的烷氧基和C₁-C₂₅的烯基中的至少一种；R₄、R₅、R₆独立地选自H、C₁-C₂₅的烷基、C₁-C₂₅的烷氧基和C₁-C₂₅的卤代烷基中的至少一种。

4.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻吩衍生物的数均分子质量为20000-30000。

5.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻吩衍生物溶液中聚噻吩衍生物的固含量为12％-20％，所述聚噻吩衍生物溶液在25℃的粘度为2.5mPa·s-5mPa·s。

6.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述显影过程包括采用有机溶剂进行显影，所述有机溶剂包括乙酸乙酯、正己烷、乙醚、异丙醚、二氯甲烷、氯仿、溴乙烷、苯、四氯化碳、二硫化碳、环己烷和石油醚中的至少一种。

7.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述聚噻吩衍生物层的厚度为0.5μm-3μm。

8.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述曝光的时间为1s-3s，曝光强度为10mJ/cm²-30mJ/cm²，光波长为300nm-380nm。

9.如权利要求1所述的像素限定层结构的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上间隔设置多个像素界定结构，包括：

在所述基板上设置像素限定材料层，通过掩膜板对所述像素限定材料层进行曝光、显影和烘烤后形成间隔设置的多个所述像素界定结构。

10.一种像素限定层结构，其特征在于，所述像素限定层结构由权利要求1-9任一项所述的像素限定层结构的制备方法制备得到，所述像素限定层结构包括基板和所述基板上间隔设置的多个像素界定结构，所述像素界定结构的上表面设置有所述疏有机溶剂层，侧表面设置有所述亲有机溶剂层，所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性。