[发明专利]一种像素限定层结构及其制备方法在审
申请号: | 201810755437.4 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN109037490A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 查宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚噻吩衍生物 基板 界定 像素 像素限定层 侧表面 亲有机 溶剂层 上表面 有机溶剂层 制备 间隔设置 喷墨打印 溶液涂布 显影过程 乙酸乙酯 光衍射 掩膜板 避光 混色 去除 液滴 混淆 配制 曝光 缓解 | ||
本发明提供了一种像素限定层结构的制备方法,包括提供基板,在基板上间隔设置多个像素界定结构;配制聚噻吩衍生物溶液,将聚噻吩衍生物溶液涂布于基板和多个像素界定结构的上表面和侧表面,形成聚噻吩衍生物层;通过掩膜板使像素界定结构的上表面的聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层,基板上的聚噻吩衍生物层避光,像素界定结构的侧表面的聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层,亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性;通过显影过程,去除基板上的聚噻吩衍生物层,得到像素限定层结构,其中,像素界定结构的上表面为疏有机溶剂层,侧表面为亲有机溶剂层;制得的像素限定层结构可以缓解喷墨打印过程中液滴混淆造成的混色。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素限定层结构及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)和量子点-有机发光二极管(QLED)的低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点被作为下一代显示技术。无论是OLED还是QLED的工艺中,喷墨打印技术都是一个无法逾越的话题。采用喷墨打印的方式可以极大的避免材料的浪费,节省了材料的生产成本。因此,喷墨打印技术的广泛应用无疑是显示行业一个研究热点。
目前,喷墨打印的工艺还不是十分的成熟,存在诸多待解决的问题。在常规喷墨打印中为了限制量子点或发光材料液滴在印刷时四周溢出,像素限定层结构(Bank)中的像素界定结构顶部设置成平坦结构,但是这会导致在打印过程中的液滴容易滴落在像素界定结构顶部,导致相邻不同颜色的量子点或者发光材料造成混淆,容易形成混色,影响色纯度。因此,需要一种能够缓解混色的像素限定层结构。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种像素限定层结构,通过在像素界定结构的上表面设置疏有机溶剂层,侧表面设置亲有机溶剂层,使得喷墨打印过程中液滴不会滞留在像素界定结构顶部,有利于液滴与侧表面接触,缓解喷墨打印中液滴混淆造成的混色。
第一方面,本发明提供了像素限定层结构的制备方法,包括:
提供基板,在所述基板上间隔设置多个像素界定结构;
配制聚噻吩衍生物溶液,将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面,形成聚噻吩衍生物层;
通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层,所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光,所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层,所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性;
通过显影过程,去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层,得到像素限定层结构,其中,所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层,侧表面为所述亲有机溶剂层。
在本发明中,将基板以及像素界定结构的上表面和侧表面上形成聚噻吩衍生物层,通过掩膜板使得沉积在像素界定结构上表面的聚噻吩衍生物层受到充分的光照,聚噻吩衍生物发生解离生成亲水性物质,所述亲水性物质为含羧酸根的高极性物质,所述聚噻吩衍生物层转变为所述疏有机溶剂层,所述疏有机溶剂层具有疏低极性有机溶剂的性质;通过掩膜板使得沉积在基板上的聚噻吩衍生物层中的聚噻吩衍生物避光、不经过光照,聚噻吩衍生物层不发生任何变化,仍然呈疏水性,即具有亲低极性有机溶剂的性质;通过掩膜板使得沉积在像素界定结构侧表面的聚噻吩衍生物层只能受到衍射光的作用,解离不充分,转变为亲有机溶剂层,所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性,整体具有亲高极性有机溶剂的性质。因此,通过显影过程,最终在像素界定结构的上表面形成所述疏有机溶剂层,侧表面形成所述亲有机溶剂层,使得在喷墨打印过程中液滴更快的离开像素界定结构的上表面,与像素界定结构的侧表面接触,有效地缓解液滴混淆造成的混色。
可选的,在所述基板上间隔设置多个像素界定结构,包括:
在所述基板上设置像素限定材料层,通过掩膜板对所述像素限定材料层进行曝光、显影和烘烤后形成间隔设置的多个所述像素界定结构。
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