[发明专利](Alx

权利要求书

1.一种(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、沟道层、势垒层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；

(Al_xGa_1-x)₂O₃中x取值范围为0.08～0.7；

所述外延层转移方法包括：

根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影，包括：在外延层上旋涂光刻胶，并按照光刻版图的图形对光刻胶进行选区曝光显影，以暴露出外延层的部分无源区域；

在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层，包括：采用ICP工艺或者RIE工艺，在氟基刻蚀条件下刻蚀外延层的部分无源区域的保护层；

在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的势垒层、沟道层和缓冲层，包括：采用ICP工艺或者RIE工艺，在氯基刻蚀条件下刻蚀缓冲层、沟道层和势垒层，以使刻蚀区域的牺牲层暴露出来；以及

采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层，包括：将所述外延层在HF溶液中漂洗预定的时间，HF溶液通过外延层上的刻蚀通道来蚀刻和剥离衬底层上方的牺牲层，以使外延层与衬底分离；

其中，氟基ICP刻蚀条件为：腔体压力为3～8mTorr，CF₄为30～60sccm，O₂为4～12sccm，衬片温度为10～30℃，上电极功率为150～300W，下电极功率为10～40W；氯基RIE刻蚀条件为：腔体压力为3～8mTorr，BCl₃为10～30sccm，Ar为5～20sccm，衬片温度为10～30℃，上电极功率0W，下电极功率为10～200W。

2.根据权利要求1所述的(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，其特征在于，所述根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影之前，还包括：

在所述衬底层上方依次制备所述牺牲层、所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层；

在所述势垒层上方制备源电极、漏电极和栅电极；

在所述源电极、所述漏电极、所述栅电极和势垒层上方制备所述保护层；以及

在所述保护层中蚀刻多个金属互联开孔区，并对所述多个金属互联开孔区进行金属互联。

3.根据权利要求1所述的(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石，所述牺牲层为SiO₂，所述缓冲层为掺Fe的Ga₂O₃，所述沟道层为非故意掺杂Ga₂O₃，所述势垒层为调制掺杂的(Al_xGa_1-x)₂O₃，x取值范围为0.08～0.7。

4.根据权利要求1所述的(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，其特征在于，根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影的图形为矩形。