[发明专利](Alx

说明书

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种(Al_xGa_1‑x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、沟道层、势垒层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的势垒层、沟道层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。该外延层转移方法能够减小器件的纵向尺寸，提高器件的散热性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法。

背景技术

现有的(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的厚度大都在十几微米以内，器件连同衬底材料的纵向尺寸基本在500微米以上，并且衬底材料一般为散热能力较差的蓝宝石或者自支撑Ga₂O₃材料，使得器件的散热问题非常严重，这大大限制了(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的发展。

因此，有必要提供一种能够显著减小器件的纵向尺寸，并提高器件散热效率的工艺方法。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种(Al_xGa_1-x) ₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本申请提供了一种(Al_xGa_1-x)₂O₃/Ga₂O₃器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、沟道层、势垒层和保护层，牺牲层制备在衬底层上方；

外延层转移方法包括：

根据光刻版图对外延层的无源区域进行选区曝光显影；

在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层；

在氯基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的势垒层、沟道层和缓冲层；以及

采用化学腐蚀液蚀刻衬底层上方的牺牲层。

在一个优选例中，根据光刻版图对无源区域进行选区曝光显影之前，还包括：

在衬底层上方依次制备牺牲层、缓冲层、沟道层和势垒层；

在势垒层上方制备源电极、漏电极和栅电极；

在源电极、漏电极、栅电极和势垒层上方制备保护层；以及

在保护层中蚀刻多个金属互联开孔区，并对多个金属互联开孔区进行金属互联。

在一个优选例中，衬底层为蓝宝石，牺牲层为SiO₂，缓冲层为掺Fe的 Ga₂O₃，沟道层为非故意掺杂Ga₂O₃，势垒层为调制掺杂的(Al_xGa_1-x)₂O₃。