[发明专利]由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件有效
| 申请号： | 201810757171.7 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109103189B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;袁苑;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 耦合 晶体管 构成 一次 可编程 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：晶体管和耦合电容位于一P阱中，由场氧或者STI隔离；所述晶体管由栅极，以及由重掺杂N型区形成的源漏区组成；所述的耦合电容，上极板由衬底表面的多晶硅形成，下极板由NLDD以及位于NLDD中的重掺杂N型区形成；
所述耦合电容的上极板的宽度不大于NLDD或者重掺杂N型区横向结深的2倍，以保证最大的电容利用效率；
所述晶体管的栅极宽度不大于耦合电容上极板的的宽度，以优化耦合电容和晶体管电容的耦合比。
2.如权利要求1所述的由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：所述晶体管的栅极以及耦合电容的上极板，由同一多晶硅刻蚀形成。
3.如权利要求1所述的由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：所述耦合电容的下极板是每个单元独立，或者是多个单元的有源区连在一起。
4.如权利要求1所述的由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：所述的重掺杂N型区，在注入时包含一次倾斜角度为15～45度的N型注入，以形成有效的源漏连通并优化热载流子写入效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
