[发明专利]一种红外光学窗口的制备方法在审
申请号: | 201810759014.X | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN108962730A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 李旭光;赵培 | 申请(专利权)人: | 无锡奥夫特光学技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外光学窗口 镀制 制备 光学膜 金属膜 耐受性 红外成像技术 光学镀膜机 抗磨损能力 镀膜区域 恶劣环境 红外成像 环形区域 保护膜 表面镀 透过率 硬掩膜 刻制 甩干 清洗 | ||
1.一种红外光学窗口的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、清洗基片并甩干;
步骤2、通过光学镀膜机在基片的底部镀制光学膜;
步骤3、在底部光学膜的表面镀制一层保护膜;
步骤4、采用硬掩膜方法在所述基片顶部做出镀膜区域,镀制光学膜;
步骤5、采用光刻制作出镀制金属膜的环形区域,镀制金属膜。
2.如权利要求1所述的红外光学窗口的制备方法,其特征在于,所述步骤3中采用PECVD方法镀制保护膜。
3.如权利要求1所述的红外光学窗口的制备方法,其特征在于,所述基片为双面抛光基片,其材质包括锗、硅、硒化锌或石英玻璃。
4.如权利要求1所述的红外光学窗口,其特征在于,所述光学膜的材质为Ge、ZnS、CaF、YbF3、SiO中的一种或几种。
5.如权利要求1所述的红外光学窗口,其特征在于,所述金属膜为Ti、Ni、Pt、Cr、Au中的一种或几种。
6.如权利要求1所述的红外光学窗口,其特征在于,所述保护膜为类金刚石薄膜,厚度为10~500nm。
7.如权利要求1所述的红外光学窗口的制备方法,其特征在于,所述基片顶部的光学膜、基片底部的光学膜和保护膜的缺陷点直径均小于10μm。
8.如权利要求7所述的红外光学窗口的制备方法,其特征在于,控制缺陷点的方法包括:提高镀膜材料的纯度、控制成膜速率和通过膜系设计减少光学膜厚度。
9.如权利要求7所述的红外光学窗口的制备方法,其特征在于,所述基片底部的光学膜共1~100层,厚度为0.1~50μm;所述基片顶部的光学膜共1~100层,厚度为0.1~50μm。
10.一种根据权利要求1-9任一所述的红外光学窗口的制备方法制备出的红外光学窗口,其特征在于,所述红外光学窗口包括基片,所述基片的顶部和底部均镀制有光学膜,顶部光学膜的四周镀制金属膜,所述底部光学膜上镀有一层保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造