[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括核心区和阶梯区，所述阶梯区包括：

与所述阶梯区的延伸面垂直的栅极隔离结构；以及

与所述阶梯区的延伸面垂直并且与所述栅极隔离结构相邻的虚拟沟道结构；

其中，以所述栅极隔离结构的上表面和所述虚拟沟道结构的上表面的其中一个作为参考平面，所述栅极隔离结构的上表面和所述虚拟沟道结构的上表面的另一个不低于所述参考平面，所述虚拟沟道结构的最大特征尺寸位于所述虚拟沟道结构的第一位置，所述栅极隔离结构的最大特征尺寸位于所述栅极隔离结构的第二位置，所述第一位置和/或所述第二位置位于所述参考平面的下方。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一位置位于所述参考平面的下方，所述第二位置位于所述参考平面。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一位置位于所述虚拟沟道结构的中上部。

4.根据权利要求1或2所述的三维存储器件，其特征在于，在所述第一位置至所述参考平面之间，所述虚拟沟道结构的特征尺寸随着与所述参考平面的距离的增加而增加。

5.根据权利要求1或2所述的三维存储器件，其特征在于，在所述第一位置至所述参考平面之间，所述虚拟沟道结构的特征尺寸保持恒定。

6.根据权利要求1或2所述的三维存储器件，其特征在于，所述虚拟沟道结构在所述参考平面的特征尺寸小于或等于所述虚拟沟道结构的最大特征尺寸的百分之九十。

7.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一位置位于所述参考平面，所述第二位置位于所述参考平面的下方。

8.根据权利要求1或7所述的三维存储器件，其特征在于，所述第二位置位于所述栅极隔离结构的中上部。

9.根据权利要求1或7所述的三维存储器件，其特征在于，在所述第二位置至所述参考平面之间，所述栅极隔离结构的特征尺寸随着与所述参考平面的距离的增加而增加。

10.根据权利要求1或7所述的三维存储器件，其特征在于，在所述第二位置至所述参考平面之间，所述栅极隔离结构的特征尺寸保持恒定。

11.根据权利要求1或7所述的三维存储器件，其特征在于，所述栅极隔离结构在所述参考平面的特征尺寸小于或等于所述栅极隔离结构的最大特征尺寸的百分之九十。

12.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，虚拟沟道结构包括绝缘的垂直结构。

13.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述栅极隔离结构包括绝缘层和设置于所述绝缘层内的导电墙。

14.一种三维存储器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和阶梯区；

在所述阶梯区形成虚拟沟道结构，其中所述虚拟沟道结构与所述阶梯区的延伸面垂直，并且所述虚拟沟道结构的最大特征尺寸位于所述虚拟沟道结构的第一位置；以及

在所述阶梯区形成栅极隔离结构，其中所述栅极隔离结构与所述阶梯区的延伸面垂直且与所述虚拟沟道结构相邻，并且所述栅极隔离结构的最大特征尺寸位于所述栅极隔离结构的第二位置；

其中，以所述栅极隔离结构的上表面和所述虚拟沟道结构的上表面的其中一个作为参考平面，所述栅极隔离结构的上表面和所述虚拟沟道结构的上表面的另一个不低于所述参考平面，所述第一位置和/或所述第二位置位于所述参考平面的下方。