[发明专利]一种P型SE-PERC双面太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种P型SE‑PERC双面太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极，解决正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。本发明同时公开了该太阳能电池的制备方法。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是指一种P型SE-PERC双面太阳能电池及其制备方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅膜，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产，而P型PERC双面太阳能电池，由于光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。

但是，目前P型PERC双面太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究，如何将P型PERC双面太阳能电池的结构进行升级优化从而适应大批量生产，有待本领域技术人员进一步探讨和研究。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种P型SE-PERC双面太阳能电池，该太阳能电池硅片在正面扩散后通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，可以解决正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。

本发明的这一目的通过如下的技术方案来实现的：一种P型SE-PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的背面激光开槽区，背面激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与背面激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极。

在太阳能电池正银电极的印刷过程中，网布在刮刀的压力下沿着垂直于刮刀前进的方向向两侧变形，导致实际印刷到硅片上的正银电极向外侧偏移。

本发明的P型SE-PERC双面太阳能电池将SE(选择性发射极技术)和PERC双面电池技术相结合，是一种新型的太阳能电池，SE中文叫选择性发射极技术，SE技术是在硅片的正面磷扩散后，以扩散形成的副产物——位于N型硅上方的磷硅玻璃为磷源，通过激光掺杂形成重掺区域，在后续的丝网印刷工序将银浆印刷在对应的重掺区域内，降低电池的接触电阻，提高电流的输出能力；在硅片上重掺杂以外的区域，为轻掺杂区域，可以增强电池的短波响应，提高电池的光电转换效率。