[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含步骤︰

提供一柔性基底，在所述柔性基底上形成一有源层；

提供一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；

提供一重掺杂硅层于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层形成至少一源极及至少一漏极；以及

提供一金属层于所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制造方法更包含：形成一栅极在所述柔性基底上；形成一第一非晶硅层于所述栅极的上方，并以所述栅极为掩膜对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，使所述第一非晶硅层改质以形成所述有源层，所述有源层堆叠于所述栅极的上方。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法更包含一步骤：对所述有源层进行蚀刻，使得所述有源层与所述栅极具有相同的一宽度及一图形。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法于形成一第一非晶硅层的步骤之前更包含一步骤：提供一栅极绝缘层，设置于所述栅极及所述柔性基底的上方，所述栅极绝缘层具有一平坦表面；以及所述制作方法于提供所述重掺杂硅层于所述多个开口内的步骤中更包含：将所述重掺杂硅层设置于所述平坦表面的上方，并与所述平坦表面相接触。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述重掺杂硅层与所述有源层相连接为：所述重掺杂硅层通过与所述多个开口相接触的一侧壁而与所述有源层相连接。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述有源层的一投影面积大于所述栅极的一投影面积。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述有源层具有一上表面，所述重掺杂硅层与所述有源层的所述上表面相接触。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述有源层的步骤更包含一步骤：对所述有源层的一部分进行一第一重掺杂处理；以及提供所述重掺杂硅层的步骤更包含一步骤：对所述重掺杂硅层进行一第二重掺杂处理。

9.一种薄膜晶体管结构，其特征在于：所述薄膜晶体管结构包含︰

一柔性基底，一有源层设置于所述柔性基底上；

一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；

一重掺杂硅层设置于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层配置为至少一源极及至少一漏极；以及

一金属层设置所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。

10.一种显示面板，其特征在于：所述显示面板包含︰

一薄膜晶体管结构包含：

一柔性基底，一有源层设置于所述柔性基底上；

一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；

一重掺杂硅层设置于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层配置为至少一源极及至少一漏极；以及

一金属层设置所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。