[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，包含步骤︰提供一柔性基底，在所述柔性基底上形成一有源层；提供一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；提供一重掺杂硅层于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层形成至少一源极及至少一漏极；以及提供一金属层于所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。本发明通过有源层与其上的源极及漏极同为半导体材质，以降低源漏极的接触电阻。

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管结构，特别是有关于一种柔性有机发光显示器的薄膜晶体管结构。

背景技术

柔性有机发光显示器结构(例如，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganic light-emitting diode,AMOLED))具有自发光性、视角广、色饱和度高、高对比、驱动电压低、功耗低、反应快、重量轻、构造简单、成本低等优点，因此不需要设置背光模组。再者，柔性有机发光显示器结构可以采用非常薄的有机材料涂层及玻璃基板，因此显示器结构可以较传统显示器的厚度薄。

但现有技术通过准分子激光退火(ELA)使非晶硅再结晶形成多晶硅后，再进行掺杂后，并于其上形成金属电极。因为半导体多晶硅与金属的接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，使得金属与半导体接触势垒很高，使得接触电阻很大。目前增大半导体与金属接触面积是最简便有效的降低电阻的方法。但仍须发展其他降低导通电阻，以降低能耗。再者，在对非晶硅(a-Si)进行准分子激光退火时，利用激光的瞬间脉冲照射到非晶硅表面，使其溶化并重新结晶。而非晶硅在制备过程中由于杂质及缺陷等问题，而在结构上形成针孔。因此在进行准分子激光退火时，高能量的激光会透过针孔照射基底。对玻璃基底而言，可以耐受高能量的激光照射。但当使用聚合物作为柔性基底时，由于聚合物柔性基底具有较低的玻璃化温度及对紫外光的高吸收率，因而难以承受准分子激光退火的激光能量密度，可能造成下方的柔性基底破空或硬化。

然而，所述柔性有机发光显示器在实际使用上仍具有下述问题，例如：柔性有机发光显示器的导通电阻是降低能耗的关键因素。电阻往往来自于在金属与半导体接触界面的接触电阻，金属与半导体接触势垒很高，使得接触电阻很大。

故，有必要提供一种薄膜晶体管结构，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管结构，以解决现有技术所存在的接触电阻太高而造成能耗的问题。还可以解决进行准分子激光退火时，造成下方的柔性基底的破坏。

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管结构，其可以通过有源层与其上的源极及漏极同为半导体材质，使得源漏极的接触电阻降低。

本发明的次要目的在于提供一种薄膜晶体管结构，其可以解决现有技术所存在的进行准分子激光退火时，造成下方的柔性基底的破坏。

为达成本发明的前述目的，本发明的一个实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包含步骤︰提供一柔性基底，在所述柔性基底上形成一有源层；提供一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；提供一重掺杂硅层于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层形成至少一源极及至少一漏极；以及提供一金属层于所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。