[发明专利]非易失性存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备的操作方法，所述非易失性存储器设备包括分别连接到多个字线的多个存储器单元，所述操作方法包括：

响应于编程命令，将擦除检测电压施加到所述多个字线中的所选字线，以对连接到所述所选字线的所述存储器单元执行擦除检测操作；

在所述擦除检测操作之后，将编程电压施加到所述所选字线；以及

对已经执行所述擦除检测操作的所述存储器单元中的欠擦除单元的数目进行计数。

2.如权利要求1所述的操作方法，还包括：响应于所述欠擦除单元的所述数目大于参考位计数，结束由所述编程命令触发的编程操作。

3.如权利要求1所述的操作方法，还包括：响应于所述欠擦除单元的所述数目大于参考位计数，将连接到所述所选字线的存储器块作为失败块进行处理。

4.如权利要求1所述的操作方法，其中所述擦除检测电压的电压电平小于具有所述存储器单元的最低编程状态的验证电压电平。

5.如权利要求1所述的操作方法，其中所述擦除检测电压的电压电平大于具有所述存储器单元的擦除状态的验证电压电平。

6.如权利要求1所述的操作方法，其中

所述擦除检测电压的电压电平与所述存储器单元的最低编程状态的验证电压相同，并且

所述擦除检测操作中感测节点的展开时间短于具有所述最低编程状态的验证操作中感测节点的展开时间。

7.如权利要求1所述的操作方法，其中所述计数基本上与所述编程电压的施加同时执行。

8.如权利要求1所述的操作方法，还包括：在施加所述编程电压之后，将编程验证电压施加到所述所选字线。

9.如权利要求1所述的操作方法，其中

由所述编程命令触发的编程操作包括顺序地执行的多个编程循环，并且所述多个编程循环中的每一个包括编程执行间隔以及所述编程执行间隔之后的编程验证间隔，并且

所述计数在所述多个编程循环中的第一编程循环的编程执行间隔中执行。

10.如权利要求1所述的操作方法，还包括：

接收所述编程命令，所述编程命令的接收包括

接收第一编程命令、地址和最低有效位(LSB)数据，和

接收第二编程命令、地址和最高有效位(MSB)数据；

其中所述擦除检测操作的执行在接收所述第一编程命令之后执行。

11.一种非易失性存储器设备的操作方法，所述非易失性存储器设备包括分别连接到多个字线的多个存储器单元，所述操作方法包括：

响应于编程命令，将编程电压施加到所述多个字线中的所选字线；

在施加所述编程电压之后，将擦除检测电压施加到所述所选字线以对连接到所述所选字线的存储器单元中的禁止编程的存储器单元执行擦除检测操作；以及

对已经执行所述擦除检测操作的所述禁止编程的存储器单元中的欠擦除单元的数目进行计数。

12.如权利要求11所述的操作方法，还包括：响应于所述欠擦除单元的所述数目大于参考位计数，结束由所述编程命令触发的编程操作。

13.如权利要求11所述的操作方法，还包括：

在执行所述擦除检测操作之后，将编程验证电压施加到所述所选字线以对连接到所述所选字线的所述存储器单元中的已编程的存储器单元执行编程验证操作。

14.如权利要求11所述的操作方法，还包括：

在施加所述编程电压之后并且在执行所述擦除检测操作之前，将编程验证电压施加到所述所选字线以对连接到所述所选字线的所述存储器单元中的已编程的存储器单元执行编程验证操作。