[发明专利]发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法在审
申请号: | 201810762765.7 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN109256447A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 黄京旭;申东明 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质图案 透射导电层 发光器件 开口 发光结构 衬底 发光器件封装 反射电极层 封装件 共形 填充 暴露 制造 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
发光结构,其形成在所述衬底上;
第一透射导电层,其形成在所述发光结构上;
第一电介质图案层,其形成在所述第一透射导电层上,所述第一电介质图案层包括多个开口;
第二透射导电层,其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上;
第二电介质图案层,其填充所述多个开口;以及
反射电极层,其形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述发光结构包括n型半导体层、有源层和p型半导体层,并且所述p型半导体层的折射率大于第一电介质图案层的折射率和第二电介质图案层的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电介质图案层的厚度大于所述第二电介质图案层的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电介质图案层的截面具有上底比下底短的梯形形状,并且所述第二电介质图案层的截面具有上底比下底长的梯形形状。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电介质图案层和所述第二电介质图案层中的至少一个包括多层结构,所述多层结构包括具有彼此不同的折射率的各材料层。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述反射电极层包括银或者银的合金,并且所述反射电极层的顶表面和底表面分别是平坦的。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二透射导电层的最上表面和所述第二电介质图案层的顶表面位于相同的水平高度处。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二透射导电层与所述反射电极层之间的接触面积大于所述第二透射导电层与所述第一透射导电层之间的接触面积。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一透射导电层的厚度大于所述第二透射导电层的厚度。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一透射导电层的厚度和所述第二透射导电层的厚度中的每一个等于或小于100nm。
11.一种发光器件封装件,包括:
衬底;
多个发光结构,所述多个发光结构形成在所述衬底上,所述发光结构中的每一个包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;
第一透射导电层,其形成在所述第二导电半导体层上;
第一电介质图案层,其形成在所述第一透射导电层上,所述第一电介质图案层包括多个开口;
第二透射导电层,其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上;
第二电介质图案层,其填充所述多个开口;
第一电极层和第一外部连接端子,其分别电连接到所述第一导电半导体层;
第二电极层和第二外部连接端子,其分别电连接到所述第二导电半导体层,所述第二电极层形成在所述第二透射导电层上和所述第二电介质图案层上;以及
模块,其用于安装所述衬底并电连接到第一外部连接端子和所述第二外部连接端子。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装件,其中,所述第一导电半导体层包括n型半导体,并且所述第二导电半导体层包括p型半导体。
13.根据权利要求11所述的发光器件封装件,其中,所述发光器件封装件被配置用于从所述多个发光结构发射的并且以特定角度入射在所述第一电介质图案层或所述第二电介质图案层上的光被全反射。
14.根据权利要求11所述的发光器件封装件,其中,所述第二透射导电层包括多个突起和多个凹陷。
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