[发明专利]发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810762765.7 申请日: 2018-07-12
公开(公告)号: CN109256447A 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 黄京旭;申东明 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/44
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电介质图案 透射导电层 发光器件 开口 发光结构 衬底 发光器件封装 反射电极层 封装件 共形 填充 暴露 制造
【说明书】:

提供了一种发光器件和一种发光器件封装件。所述发光器件包括:衬底;形成在衬底上的发光结构;在发光结构上的第一透射导电层;形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层,所述第一电介质图案层包括多个开口;第二透射导电层,其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上;填充所述多个开口的第二电介质图案层;以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年7月13日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0089168的优先权,其公开内容通过引用其全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。例如,本公开涉及一种包括具有改进的光提取效率的结构的发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法。

背景技术

发光器件可以包括发光结构之下的反射电极层,从而改善从发光结构发出的光的提取效率。近来,随着发光器件的尺寸逐渐减小,具有能够增加反射电极层的反射率的结构的发光器件和包括该发光器件的封装件是期望的。

发明内容

本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件,其具有能够有效改善光提取效率的结构。

本公开提供了一种包括透射导电层和电介质层的发光器件封装件,其具有能够有效改善光提取效率的结构。

本公开提供一种制造包括透射导电层和电介质层的发光器件的方法,其具有能够有效改善光提取效率的结构。

根据本发明构思的一个方面,提供了一种发光器件,包括:衬底;

形成在衬底上的发光结构;形成在发光结构上的第一透射导电层;形成在第一透射导电层上的第一电介质图案层,所述第一电介质图案层包括多个开口;第二透射导电层,其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上;填充所述多个开口的第二电介质图案层;以及形成在第二透射导电层和第二电介质图案层上的反射电极层。

根据本发明构思的另一方面,提供了一种发光器件封装件,包括:衬底;形成在所述衬底上的多个发光结构,所述发光结构中的每一个包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;形成在所述第二导电半导体层上的第一透射导电层;形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层,所述第一电介质图案层包括多个开口;第二透射导电层,其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上;填充所述多个开口的第二电介质图案层;第一电极层和第一外部连接端子,其分别电连接到所述第一导电半导体层;第二电极层和第二外部连接端子,其分别电连接到第二导电半导体层,第二电极层形成在第二透射导电层上和第二电介质图案层上;以及模块,其用于安装衬底并电连接到第一外部连接端子和第二外部连接端子。

根据本发明构思的另一方面,提供了一种发光器件,包括:衬底;位于衬底上的发光结构;形成在所述发光结构上并且包括内部空间的透射导电层;陷入在内部空间中的第一电介质图案层;未陷入在所述内部空间中的第二电介质图案层,所述第二电介质图案层包括与所述透射导电层的顶表面实质上处于相同水平高度处的顶表面;以及位于透射导电层和第二电介质图案层上的反射电极层。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的以上和其它方面、特征和其他优点,在附图中:

图1和图2分别是示出根据本发明构思的实施例的发光器件的平面图和截面图;

图3是示出根据本发明构思的实施例的发光器件封装件的截面图;

图4A至图4H是示出根据本发明构思的实施例的制造发光器件的方法的步骤的截面图;

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