[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

限定在半导体衬底中的有源区域；

在所述半导体衬底上的第一接触插塞，所述第一接触插塞连接到所述有源区域；

在所述半导体衬底上的位线，所述位线与所述第一接触插塞相邻；

在所述第一接触插塞与所述位线之间的第一气隙间隔物；

在所述第一接触插塞上的着落垫；

在所述位线上的阻挡绝缘层；以及

在所述第一气隙间隔物上的气隙盖层，所述气隙盖层垂直地重叠所述第一气隙间隔物，所述气隙盖层在所述阻挡绝缘层与所述着落垫之间，

所述阻挡绝缘层的上表面在与所述着落垫的上表面相等或比其高的高度处。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一气隙间隔物包括由所述着落垫垂直重叠的第一气隙和不由所述着落垫垂直重叠的第二气隙。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述阻挡绝缘层的下部与所述第一气隙间隔物的最高部接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二接触插塞，其在所述位线的延伸方向上与所述第一接触插塞分开；

在所述第二接触插塞的侧壁上的第二气隙间隔物；以及

在所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的中间绝缘层，

其中所述阻挡绝缘层包括将所述第一气隙间隔物和所述第二气隙间隔物连接的局部层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二接触插塞，其在所述位线的延伸方向上与所述第一接触插塞分开；以及

在所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的中间绝缘层，

其中所述阻挡绝缘层包括第一局部层，该第一局部层在与所述第一接触插塞和所述第二接触插塞相邻的所述中间绝缘层的两个侧壁上。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述阻挡绝缘层还包括连接所述第一局部层的第二局部层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述阻挡绝缘层还包括覆盖所述位线的上表面的第三局部层。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一局部层和所述第二局部层围绕所述中间绝缘层的侧壁。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述阻挡绝缘层包含硅氮化物。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述阻挡绝缘层包括留在其侧壁的内侧上的硅氧化物层。

11.一种半导体器件，包括：

在衬底上的位线；

在所述衬底上的接触插塞，所述接触插塞与所述位线相邻；

在所述位线的侧壁上的位线间隔物；

在所述接触插塞的侧壁上的接触插塞间隔物；

在所述位线间隔物和所述接触插塞间隔物上的气隙盖层；以及

由所述位线间隔物、所述接触插塞间隔物和所述气隙盖层限定的气隙间隔物。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中从所述位线的底表面到所述气隙间隔物的最高部的高度基本上等于从所述位线的所述底表面到所述接触插塞间隔物的最高部的高度。

13.如权利要求11所述的半导体器件，还包括在所述接触插塞的上表面上的着落垫，其中所述着落垫不覆盖所述气隙盖层。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述气隙间隔物包括第一气隙和第二气隙，其中所述第一气隙由所述着落垫垂直地重叠，所述第二气隙不由所述着落垫垂直地重叠。

15.如权利要求14所述的半导体器件，还包括在所述着落垫中的沟槽，其中所述第二气隙连接到所述沟槽的下表面。